发明名称 反射光学元件及其制造方法
摘要 本发明涉及一种反射光学元件,具体地用于EUV光刻,用于软X射线和极紫外波长范围的工作波长,包括由在工作波长具有不同实部的衍射率的至少两个交替的材料(21、22)制成的多层系统(20),其中由具有较小实部的折射率的材料(22)的氮化物或碳化物的另外的层(23)被优选设置在从具有较大实部的衍射率的材料(21)到具有较小实部的衍射率的材料(22)的至少一个转变处。具有较小实部的衍射率的材料(22)特别优选为镧或钍。优选采用等离子体施加至少一个材料的层(21、22、23),以制造前述反射光学元件的一个。
申请公布号 CN102089683A 申请公布日期 2011.06.08
申请号 CN200980126742.6 申请日期 2009.05.30
申请人 卡尔蔡司SMT有限责任公司 发明人 蒂姆·特萨法蒂;欧文·佐索特;埃里克·路易斯;弗雷德里克·比杰柯克
分类号 G02B5/08(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I 主分类号 G02B5/08(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种用于从5nm至12nm范围内的工作波长的反射光学元件,包括由在工作波长具有不同实部的折射率的至少两个交替的材料组成的多层系统,其特征在于,在从具有较大实部的折射率的材料(21)到具有较小实部的折射率的材料(22)或者从具有较小实部的折射率的材料(22)到具有较大实部的折射率的材料(21)的至少一个界面处,设有由具有较小实部的折射率的材料的氮化物或碳化物组成的另外的层(23)。
地址 德国上科亨