高速大功率半导体光源

摘要

本发明涉及一种高速大功率半导体光源，其包括：相对设置的p电极和n电极、主振荡部分以及功率放大部分。主振荡部分为单模高速DFB-LD或DBR-LD。功率放大部分位于主振荡部分的后方，且功率放大部分的主轴线与主振荡部分的主轴线有一定的倾斜角。本发明高速大功率半导体光源进一步包括一隔离槽，该隔离槽设置于p电极上且位于主振荡部分与功率放大部分之间。本发明的半导体光源可有效地抑制光反馈及电信号间的干扰，具有直接调制输出高速大功率光信号的潜在能力，可通过百毫安的调制电流和数安培的直流电流获得几兆赫兹、瓦级的直接调制的输出光功率。

主权项

一种高速大功率半导体光源，其包括：相对设置的p电极和n电极；主振荡部分，且该主振荡部分为单模高速DFB‑LD或DBR‑LD；功率放大部分，该功率放大部分位于该主振荡部分的后方；其特征在于：该功率放大部分的主轴线与该主振荡部分的主轴线有一定的倾斜角，该高速大功率半导体光源进一步包括一隔离槽，该隔离槽设置于该p电极上且位于该主振荡部分与该功率放大部分之间。