发光二极管显示器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管显示器和发光二极管显示器的制造方法。发光二极管显示器的制造方法包括以下步骤：将第一、第二以及第三发光二极管预固定在发光单元制造基板上，以制造均包括第一、第二以及第三发光二极管的发光单元，将第一、第二以及第三发光二极管的第一电极连接至子公共电极；以及将发光单元从发光单元制造基板转移并且固定至显示基板，以制造包括以第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置的，即以二维矩阵形式配置的发光单元的发光二极管显示器。

主权项

一种发光二极管显示器的制造方法，包括以下步骤：(A)在第一发光二极管制造基板上设置发射红光的多个第一发光二极管，所述第一发光二极管均包括：(a‑1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(a‑2)活性层，(a‑3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(a‑4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(a‑5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；在第二发光二极管制造基板上设置发射绿光的多个第二发光二极管，所述第二发光二极管均包括：(b‑1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(b‑2)活性层，(b‑3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(b‑4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(b‑5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；以及在第三发光二极管制造基板上设置发射蓝光的多个第三发光二极管，所述第三发光二极管均包括：(c‑1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(c‑2)活性层，(c‑3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(c‑4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(c‑5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；(B)将所述第一发光二极管、所述第二发光二极管、以及所述第三发光二极管预固定至发光单元制造基板，以形成包括期望数量的所述第一发光二极管、期望数量的所述第二发光二极管、以及期望数量的所述第三发光二极管的发光单元，将每个第一发光二极管、每个第二发光二极管、以及每个第三发光二极管的所述第一电极连接至子公共电极；以及(C)将所述发光单元从所述发光单元制造基板转移并且固定至显示基板，以制造包括以二维矩阵形式配置的，即沿第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向配置的多个发光单元的发光二极管显示器，其中，将沿着所述第一方向配置的每个发光单元的第一发光二极管、第二发光二极管以及第三发光二极管的所述第二电极分别连接至沿着所述第一方向延伸的第一公共电极、第二公共电极以及第三公共电极，并且将沿着所述第二方向配置的发光单元的所述子公共电极连接至沿着所述第二方向延伸的第四公共电极。