用纯银作内电极制造氧化锌变阻器的方法

摘要

一种用纯银作内电极制造氧化锌变阻器的方法，以其将制备含掺杂离子成份的氧化锌晶粒和制备用于包裹氧化锌晶粒的烧结料分成二个独立工序来制造为主要特征。本发明可以根据变阻器的性能要求，预先调配氧化锌晶粒的掺杂成份和高阻抗烧结料的成份，最后按一定比例将两者混合均匀，再按常规工艺制成氧化锌变阻器。用本发明这种制法，可调配出具有低温烧结(850℃左右)特征的氧化锌复合陶瓷粉，采用纯银内电极制成多层片式氧化锌变阻器(MLV)，具有大幅度节能减排的功效。

主权项

一种用纯银作内电极制造氧化锌变阻器的方法，包括氧化锌陶瓷粉的制备和按常规工艺制成纯银内电极的多层片式氧化锌变阻器，其特征在于：所述氧化锌陶瓷粉的制备是：‑‑‑制备掺杂一种或一种以上离子成分的氧化锌晶粒，其中所掺杂离子成分选自银(Ag)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铜(Cu)、铝(Al)、鈰(Ce)、钴(Co)、鉻(Cr)、镍(Ni)、锑(Sb)、锰(Mn)、钛(Ti)、铁(Fe)、钒(V)、钨(W)、铌(Nb)、锆(Zr)、硅(Si)、锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)、镧(La)、镨(Pr)、钇(Y)或硒(Se)等，且离子成分的总掺杂数量小于氧化锌的15％摩尔；‑‑‑制备高阻抗烧结料或玻璃粉，其中所述的烧结料或玻璃粉的原料为氧化物、氢氧化物、碳酸盐、醋酸盐、草酸盐、硝酸盐、钛酸盐等或其混合物，其中主要含有下述成分：Bi、Sb、Mn、Co、Cr、Ni、Ti、Si、Ba、B、Ce、La、Y、Se、Pr、In、Al、Sn等。‑‑‑按一定比例均匀混合所述掺杂氧化锌晶粒与所述高阻抗烧结料，再经一定温度下的初煅烧、磨细为氧化锌复合陶瓷粉。