发明名称 |
接触孔的填充方法 |
摘要 |
一种接触孔的填充方法,包括:提供带有接触孔的半导体衬底;第一填充阶段,采用溅射工艺,将导电介质部分填充所述接触孔,所述第一填充阶段中的溅射温度大于400℃;第二填充阶段,采用溅射工艺,将导电介质填充满所述接触孔,所述第二填充阶段中的溅射温度大于400℃。本发明能在高温下对接触孔进行填充,提高导电介质的流动性,实现完全填满整个接触孔。 |
申请公布号 |
CN102087994A |
申请公布日期 |
2011.06.08 |
申请号 |
CN200910252940.9 |
申请日期 |
2009.12.04 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
章舒 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种接触孔的填充方法,其特征在于,包括:提供带有接触孔的半导体衬底;第一填充阶段,采用溅射工艺,将导电介质部分填充所述接触孔,使得在所述接触孔的底部和侧壁溅射有导电介质,所述第一填充阶段中的溅射温度大于400℃;第二填充阶段,采用溅射工艺,将导电介质填充满所述接触孔,所述第二填充阶段中的溅射温度大于400℃。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |