成膜方法、清洁方法和成膜装置

摘要

将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl2气体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此时分别独立地控制基座(2)、喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度，使基座(2)的温度为Cl2气体的分解开始温度以上，并且使喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度为分解开始温度以下。

主权项

一种成膜方法，其特征在于，包括：在腔室内的基板载置台上载置被处理基板，对所述腔室内进行排气，并在将所述基板载置台的温度设定为规定温度的状态下，从设置在所述腔室内的气体喷出部件喷出包含氯化金属化合物气体的处理气体，利用CVD在被处理体的表面上形成金属膜或金属化合物膜的工序；和在所述腔室内不存在被处理基板的状态下，从所述气体喷出部件向所述腔室内喷出包含Cl2气体的清洁气体，对所述腔室内进行清洁的工序，所述清洁工序分别独立地控制所述基板载置台的温度、所述喷出部件的温度和所述腔室壁部的温度，并且控制所述腔室的压力，使清洁对象部位的温度为所述Cl2气体的分解开始温度以上，并且使非清洁对象部位的温度低于所述Cl2气体的分解开始温度。