| 发明名称 | 高频薄膜电路元件 | ||
| 摘要 | 一种电感器电路元件，包括与磁性材料(6，7，11，12)的薄层磁耦合的长形电导体(1)，所述薄层沿着至少一部分所述导体在所述导体上方和下方延伸。磁性材料的每一层(6，7，11，12)的厚度与其横向尺寸的纵横比在0.001和0.5之间，优选在0.01和0.1之间。该纵横比的范围有一高铁磁共振频率。所述电感器优选包括在所述导体旁边延伸的磁互连件(13，14)，所述磁互连件在下述位置将所述磁性材料层(6，7，11，12)互连起来：在所述位置，沿着导体流动的电流产生的磁通量横穿所述层。 | ||
| 申请公布号 | CN1883018B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200480033759.4 | 申请日期 | 2004.11.29 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 菲利普·瑞那奥德;拉马姆尔西·拉马普拉萨德 |
| 分类号 | H01F17/00(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I | 主分类号 | H01F17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 一种薄膜电路元件，包括长的电导体(1)，该电导体与磁性材料的至少一个磁性材料层(5；6，7，11，12)磁耦合，所述至少一个磁性材料层沿所述导体的至少一部分在所述导体的上方和下方延伸，其特征在于，所述磁性材料层(5；6，7，11，12)的厚度与其横向尺寸的比在0.01到0.5之间。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||