用来制造掺杂的Ⅲ-N大块晶体以及自支撑的、掺杂的Ⅲ-N衬底的方法以及掺杂的Ⅲ-N大块晶体和自支撑的、掺杂的Ⅲ-N衬底

摘要

本发明介绍了用于制造掺杂的III-N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，掺杂的晶态III-N层或者掺杂的III-N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质到反应器中的输送以与至少一种III族材料混合的形式进行。以这种方式，III-N大块晶体以及由其分割而成的III-N单晶衬底以掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一分布的方式被获得。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。

主权项

用于制造掺杂的晶态III‑N层或者掺杂的III‑N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，包括下述步骤：以元素形式的掺杂物质和以元素形式的III族原料的混合物被预置在III‑源中；将所述掺杂物质和所述III族原料的多种形态共同地转变成气相，并且共同输送给反应器或生长区域，其中，当使用多种III族元素时，不同的所述III族元素来自不同的III‑源；以及所述掺杂的晶态III‑N层或者所述掺杂的III‑N大块晶体在所述反应器或生长区域中在衬底或模板上沉积。