| 发明名称 | 氮化物基发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种高功率和长寿命的氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件包括：形成于单晶晶片上的n覆层；通过在HCl和NH3的混合气体气氛下从顶表面处理该n覆层至预定深度而形成的多孔层；以及依次形成于所述多孔层上的有源层和p覆层。 | ||
| 申请公布号 | CN1996626B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200610081818.6 | 申请日期 | 2006.05.12 |
| 申请人 | 三星康宁精密素材株式会社 | 发明人 | 朴性秀 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;冯敏 |
| 主权项 | 一种氮化物基发光器件，包括：形成于单晶晶片上的n覆层；多孔层，该多孔层具有多个突起柱，并通过在HCl和NH3的气体气氛下从所述n覆层的顶表面处理其直到预定深度而形成；以及依次形成于所述多孔层上的有源层和p覆层，其中，所述有源层由形成于所述多孔层的每个突起柱上且排列成一条线的多个点形成。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道龟尾市 | ||