NLDMOS器件及其制造方法

摘要

一种NLDMOS器件，包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，所述浮置-P型结构位于N型漂移区的中部，所述的第一场氧区和第二场氧区不是连在一起，两者之间的有源区的宽度配合注入浮置-P型结构的长度。采用本发明的结构，不但可以提高半导体器件的击穿电压，而且有效地降低了导通电阻，同时减小了对高能注入的需求，降低了对工艺机台的限制，生产中容易实现。

主权项

一种NLDMOS器件，包括浮置‑P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，其特征在于：所述浮置‑P型结构位于N型漂移区的中部沿着N型漂移区的沟道方向，所述的第一场氧区和第二场氧区之间的有源区的宽度不小于浮置‑P型结构的长度，浮置‑P型在N型漂移区的中部。