浅沟槽隔离方法

摘要

一种浅沟槽隔离方法，包括：提供衬底；所述衬底上依次形成有衬垫氧化层，氮化硅层；所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露衬底的开口；对所述沟槽暴露出来的衬底进行氧化，形成扩散氧化层；去除所述扩散氧化层，形成第一沟槽；以所述氮化硅层为掩膜，刻蚀所述衬底，形成第二沟槽；在所述氮化硅层表面形成填充所述开口、第一沟槽和第二沟槽的填充氧化层；去除部分填充氧化层直至暴露出氮化硅层；去除所述氮化硅层和衬垫氧化层。本发明提供的浅沟槽隔离方法形成的浅沟槽具有弧度顶部拐角，提高了浅沟槽的隔离效果。

主权项

一种浅沟槽隔离方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底上依次形成有衬垫氧化层，氮化硅层；所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露衬底的开口；对所述沟槽暴露出来的衬底进行氧化，形成扩散氧化层；去除所述扩散氧化层，形成第一沟槽；以所述氮化硅层为掩膜，刻蚀所述衬底，形成第二沟槽；在所述氮化硅层表面形成填充所述开口、第一沟槽和第二沟槽的填充氧化层；去除部分填充氧化层直至暴露出氮化硅层；去除所述氮化硅层和衬垫氧化层。