| 发明名称 | 一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，包括：测量AlGaN/GaN HEMT器件的CV曲线；对CV曲线通过数学变形得到C<sup>-2</sup>同栅压之间的关系，作C<sup>-2</sup>-V图；对C<sup>-2</sup>-V求微分，利用公式<img file="200910241685.8_ab_0.GIF" wi="252" he="51" />获得N(W)-V的关系；利用公式<img file="200910241685.8_ab_1.GIF" wi="116" he="47" />获得W(V)-C的关系；由于C与V的对应关系可得N(W)-W(V)的关系图；在已知外延层结构的前提下，通过耗尽层同凹栅槽之间的关系，获得凹栅槽的深度。本发明采用CV的方法获得了器件的凹栅槽的深度的大小，利于实现对器件凹栅槽刻蚀工艺的有效监控，实现了对AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的测量。 | ||
| 申请公布号 | CN102087092A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910241685.8 | 申请日期 | 2009.12.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵妙;王鑫华;刘新宇;欧阳思华;黄俊 |
| 分类号 | G01B7/26(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G01B7/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，包括：步骤1：测量AlGaN/GaN HEMT器件的CV曲线；步骤2：对CV曲线通过数学变形得到C<sup>-2</sup>同栅压之间的关系，作C<sup>-2</sup>-V图；步骤3：对C<sup>-2</sup>-V求微分，利用公式<img file="F2009102416858C0000011.GIF" wi="627" he="115" />获得N(W)-V的关系；步骤4：利用公式<img file="F2009102416858C0000012.GIF" wi="290" he="117" />获得W(V)-C的关系；步骤5：由于C与V的对应关系可得N(W)-W(V)的关系图；步骤6：在已知外延层结构的前提下，通过耗尽层同凹栅槽之间的关系，获得凹栅槽的深度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||