材料沉积方法及设备

摘要

本发明提供了选择性地加热被曝光于无电解电镀溶液的晶片表面的方法和设备。辐射能量源的选择性加热导致该晶片表面和无电解电镀溶液之间界面处的温度增大。该温度增大导致在晶片表面处发生电镀反应。因此，通过无电解电镀反应在该晶片表面上沉积材料，其中使用恰当定义的辐射能量源改变该晶片表面的温度而触发和控制该无电解电镀反应。另外，将平面部件置于该晶片表面上并靠近该晶片表面，从而在该平面部件和晶片表面之间引入无电解电镀溶液。通过该电镀反应沉积的材料形成了遵从该平面部件平整度的平坦化层。

主权项

一种用于在晶片的表面上沉积材料的方法，包括：将化学镀溶液涂敷到所述晶片的所述表面上，所述化学镀溶液被保持在不容易发生涂镀反应的温度；将所述晶片的所述表面曝光于辐射能量；以及控制所述辐射能量的波长范围，以便所述辐射能量有选择地被存在于所述辐射能量入射到其上的晶片的表面处的第一材料的原子/分子吸收，以增大所述第一材料的所述原子/分子的激发，从而导致加热并提高所述第一材料的温度，其中激发所述第一材料的所述原子/分子所需的辐射能量的所述波长范围将导致环绕所述第一材料的材料中的原子/分子的零激发或有限激发，其中由所述第一材料的所述原子/分子有选择地吸收辐射能量导致所述第一材料的温度被增加到在所述第一材料和所述化学镀溶液之间的界面处、在所述第一材料上而不在环绕所述第一材料的材料上有选择地发生涂镀反应的状态。