发明名称 具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层之基板结构及其方法
摘要 本发明包含一具有晶粒形成于晶粒金属垫之第一基板,一第一级一第二导线电路形成于第一基板之表面;一具有用以接收晶粒之晶粒开口之第二基板,一第三导线电路位于第二基板之上表面及一第四导线电路位于第二基板之底表面;一黏着层填入于上述晶粒背面与上述第一基板上表面之间的间隙;以及上述晶粒侧壁与上述晶粒置入穿孔侧壁之间的间隙;以及上述第二基板的背侧。在此构造中,雷射被导入以切割第一基板之背面以形成一开孔,暴露芯片/晶粒之金或金/银金属层之部分背面。
申请公布号 CN102088013A 申请公布日期 2011.06.08
申请号 CN201010179311.0 申请日期 2010.05.19
申请人 杨文焜 发明人 杨文焜
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 北京挺立专利事务所 11265 代理人 叶树明
主权项 一种半导体组件封装结构,其特征在于包含:一具有一金属垫与一晶粒大小面积之开口区之第一基板,一第一导线电路位于该第一基板之上表面和一第二导线电路位于该第一基板之底表面;一晶粒配置于该金属垫之上;一第二基板具有一晶粒开口来容纳该晶粒,一第三导线电路位于该第二基板之上表面和一第四导线电路位于该第二基板之底表面;一金属物质接触于该晶粒背面及该第一基板之该第二导线电路之间;以及一黏着层,填入于该晶粒背面与该第一基板上表面之间的间隙,和该晶粒侧壁与该晶粒开口侧壁以及该第二基板的背侧之间。
地址 中国台湾新竹市仙水里18邻安康街6巷47号