| 发明名称 | 固态图像拾取设备的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种固态图像拾取设备的制造方法，包括：根据离子注入方法从半导体基板的第一表面在半导体基板中形成第一导电类型的第一半导体区的步骤；在第一半导体区和半导体基板的第一表面之间形成多个光电转换区的步骤；通过从半导体基板的第二表面对半导体基板进行抛光的第一移除步骤；在第一移除步骤之后，通过以比第一移除步骤的速度低的速度从半导体基板的第二表面减小半导体基板的厚度的第二移除步骤，其中，直到第一半导体区露出之前，继续第二移除步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102088026A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN201010570146.1 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 岩田旬史;市川武史 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杨小明 |
| 主权项 | 一种固态图像拾取设备的制造方法，包括：根据离子注入方法从半导体基板的第一表面侧在半导体基板中形成第一导电类型的第一半导体区的步骤；在第一半导体区和所述半导体基板的第一表面之间形成多个光电转换区的步骤；从所述半导体基板的第二表面侧对半导体基板进行抛光的第一移除步骤；以及在第一移除步骤之后，以比第一移除步骤的速度低的速度从所述半导体基板的第二表面侧减小所述半导体基板的厚度的第二移除步骤，其中，至少在第一半导体区露出之前，继续第二移除步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||