| 发明名称 | 相变化存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变化存储器，该相变化存储器包含复合材料层包含介电材料及低热传导材料；贯孔形成于该复合材料层；以及相变化材料形成于至少一部分的该贯孔内。 | ||
| 申请公布号 | CN101308903B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200710196280.8 | 申请日期 | 2007.12.07 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈达;蔡铭进 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 许向华 |
| 主权项 | 一种相变化存储器，包含：复合材料层，包含介电材料及低热传导材料，该低热传导材料包含有相变化材料，该低热传导材料具有介于0.1W/m‑K至1W/m‑K的热传导系数；贯孔，形成于该复合材料层；以及相变化材料层，形成于至少一部分的该贯孔内。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||