制造具有均匀涂层厚度的半导体器件的方法及相关器件

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层，和在衬底上形成至少两个部件，从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区，所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区，从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层；和在所述衬底上形成至少两个部件，从而所述扩散阻挡层分别设置在每个部件和所述衬底之间并接触所述至少两个部件，所述扩散阻挡层提供所述至少两个部件之间的电通路，在所述至少两个部件通过所述电通路连接的同时，在所述至少两个部件上无电镀外部导电层；以及在无电镀之后，处理所述扩散阻挡层从而中断所述电通路，其中：所述衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，所述衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，至少两个部件中的第一部件处于第一杂质区中，和至少两个部件中的第二部件处于第二杂质区中，从而通过所述不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。