发明名称 一种基于MOS电流模逻辑的高速电流开关驱动器
摘要 本发明提供一种基于MOS电流模逻辑的高速电流开关驱动器,包括:MOS电流模逻辑锁存电路,用于接收电流开关驱动信号,并对所述电流开关驱动信号进行锁存和限幅,使所述电流开关驱动信号同步;MOS电流模逻辑电流开关,用于接收经所述MOS电流模逻辑锁存电路处理的信号,产生限幅的电流源驱动信号,并调整电流开关驱动信号交叉点;以及具有NMOS开关的共源共栅电流源,用于接收经所述MOS电流模逻辑电流开关处理的所述电流开关驱动信号,并输出低失真的电流信号,使得电流开关驱动信号同步,减小溃通效应。
申请公布号 CN101562449B 申请公布日期 2011.06.08
申请号 CN200810149829.2 申请日期 2008.10.08
申请人 西安电子科技大学 发明人 朱樟明;李光辉;杨银堂;王振宇;刘帘曦
分类号 H03M1/66(2006.01)I;H03K19/096(2006.01)I 主分类号 H03M1/66(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静
主权项 一种基于MOS电流模逻辑的高速电流开关驱动器,其特征在于,包括:MOS电流模逻辑锁存电路,用于接收电流开关驱动信号,并对所述电流开关驱动信号进行锁存和限幅,使所述电流开关驱动信号同步;MOS电流模逻辑电流开关,用于接收经所述MOS电流模逻辑锁存电路处理的信号,产生限幅的电流源驱动信号,并调整电流开关驱动信号交叉点;以及具有NMOS开关的共源共栅电流源,用于接收经所述MOS电流模逻辑电流开关处理的所述电流开关驱动信号,并输出低失真的电流信号;所述MOS电流模逻辑电流开关包括:PMOS晶体管M10、PMOS晶体管M11、PMOS晶体管M12、PMOS晶体管M13、NMOS晶体管M14、NMOS晶体管M15、NMOS晶体管M16,其中PMOS晶体管M10的源极与体端、PMOS晶体管M11源极与体端、PMOS晶体管M12源极与体端和PMOS晶体管M13的源极与体端均接电压源Vdd,PMOS晶体管M11的栅极和PMOS晶体管M12的栅极相连并接低电平;PMOS晶体管M10的栅极和PMOS晶体管M13的栅极分别作为负相输入端Vin_n和正相输入端Vin_p;PMOS晶体管M10的漏极、PMOS晶体管M11的漏级、NMOS晶体管M14的漏级与NMOS晶体管M15的栅极相连,并作为正相输出端Vout_p;PMOS晶体管M12的漏极、PMOS晶体管M13的漏级、NMOS晶体管M15的漏级与NMOS晶体管M14的栅极相连,并作为负相输出端Vout_n;NMOS晶体管M14的源极、NMOS晶体管M15的源极与NMOS晶体管M16的漏极相连,NMOS晶体管M16的源极与衬底接地,NMOS晶体管M16的栅极接第二偏置电压Vbias2。
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