| 发明名称 | 包括可变离子注入条件的半导体工艺评估方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。 | ||
| 申请公布号 | CN1992190B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200610171283.1 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 张圆培;金承彻;崔灿承;金民锡;金治完;李善鎔;河商录 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种半导体工艺评估方法，包括：将测试半导体衬底分成多个区域；在不同的离子注入条件下利用离子束扫描所述区域；将所述测试半导体衬底的至少一个区域分成多个子区域；在所述子区域上形成不同的金属线层；以及测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描且具有所述不同的金属线层的所述测试半导体衬底的所述多个区域的参数，从而实施所述半导体工艺评估。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||