发明名称 |
使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置 |
摘要 |
本发明提供了一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的方法,包括如下步骤:使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a,11b,11c),将夹紧设备的温度控制到预定测量温度,其中将流体(F)通过冷却设备(11a,11b,11c)以达到冷却目的,所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT);将半导体晶片(5)的背面(R)放置在温度可调夹紧设备(1)的支持面(AF)上;将探测卡(7’,7’a)放置在半导体晶片(5)的正面;通过使用其上放置的探测卡(7’,7’a)的探针(91,92),从测试装置(TV)将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中,对半导体晶片(5)进行测试;记录测试期间流体(F)的温度升高,流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT);以及考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高,在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下,减小测试期间的加热功率(PW)。本发明还提供了一种相应的装置。 |
申请公布号 |
CN101137911B |
申请公布日期 |
2011.06.08 |
申请号 |
CN200680001956.7 |
申请日期 |
2006.01.10 |
申请人 |
ERS电子有限公司 |
发明人 |
埃里希·赖廷格 |
分类号 |
G01R31/28(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/28(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的方法,包括如下步骤:使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a,11b,11c),将夹紧设备(1)的温度控制到预定测量温度,其中将流体(F)通过冷却设备(11a,11b,11c)以达到冷却目的,所述预定加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT);将半导体晶片(5)的背面(R)放置在温度可调夹紧设备(1)的支持面(AF)上;将探测卡(7’,7’a)放置在半导体晶片(5)的正面(O)上;通过使用其上放置的探测卡(7’,7’a)的探针(91,92),从测试装置(TV)将预定测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中,对半导体晶片(5)进行测试;记录测试期间流体(F)的温度升高,流体(F)的温度升高反映了预定测试功率(PT);以及考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高,在预定冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下,减小测试期间的预定加热功率(PW)。 |
地址 |
德国巴伐利亚 |