发明名称 |
一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法 |
摘要 |
一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法,涉及一种纳米线焊接方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末,用有机溶剂分散,将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上,静置得TEM样品,放入样品座中固定,将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空,观察分析;在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线粗选,在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选;先在放大倍数20000×~150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌;再对纳米线交叉处辐照,实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程,重复“辐照-拍照”直至最终实现两纳米线的焊接。 |
申请公布号 |
CN101602484B |
申请公布日期 |
2011.06.08 |
申请号 |
CN200910112085.1 |
申请日期 |
2009.06.26 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
朱贤方;苏江滨;李论雄;吴燕;黄胜利;逯高清;王连洲 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;B23K28/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法,其特征在于包括以下步骤:1)TEM样品的准备:先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末,用有机溶剂分散,至形成颜色均匀的悬浮液时,再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上,静置,得TEM样品;2)装样:将步骤1)得到的TEM样品放入样品座中固定好,然后将样品杆逐步推入到样品室中并对透射电镜抽真空,对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析;3)纳米线的筛选:先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选,然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选,所述TEM低倍观察模式采用6000×下对硅氧化物纳米线进行粗选,所述较高倍数观察模式采用20000×~150000×下对粗选的纳米线作进一步筛选,其中一根两端固定,另一根两端固定或一端自由另一端固定,且两根非晶硅氧化物纳米线交叉重叠且交叉处位于微栅孔中;4)纳米线的焊接:先在放大倍数20000×~150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌;然后在相同放大倍数下对纳米线交叉处进行辐照,并实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程,在保持相同辐照条件下,不断重复“辐照‑拍照”这一过程,直至最终实现两纳米线的焊接,所述辐照的电流密度为1~40A/cm2。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |