| 摘要 |
Способ проявления позитивных фоторезистов, включающий обработку поверхности подложки, отличающийся тем, что на нанесенную поверхность подложки позитивного фоторезиста толщиной 1,1±0,1 мкм проводят методом центрифугирования процесс проявление и сушка фоторезиста при следующих технологических режимах: ! растекание проявителя 5÷15 с, промывка-I 10÷15 с, промывка-II 10÷15 с, сушка 5÷10 мин; ! сбрасывание: V1=2900±100 об/мин и V2=3800±200 об/мин; ! формирование профиля рисунка, ! температура сушки в печи равна: I зона - 85±5°С, II зона - 95±5°С, III зона - 100±5°С, время - 6±2 мин. |
