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发明名称 Bulk type back metal source and drain forming method for vertical MOS transistor using thereof
摘要
申请公布号 KR101001501(B1) 申请公布日期 2010.12.14
申请号 KR20080077228 申请日期 2008.08.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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