发明名称 表面黏着型发光二极体封装装置及发光元件封装装置
摘要
申请公布号 TWI334660 申请公布日期 2010.12.11
申请号 TW096109725 申请日期 2007.03.21
申请人 隆达电子股份有限公司 发明人 何昕桦;黄文正
分类号 H01L33/56 主分类号 H01L33/56
代理机构 代理人 戴俊彦 台北县永和市福和路389号6楼之3;吴丰任 台北县永和市福和路389号6楼之3
主权项 一种表面黏着型发光二极体(light emitting diode,LED)封装装置,包括:一导线架;至少一发光二极体晶片,设于该导线架上;及一透光之封装层,设于该导线架上并覆盖该发光二极体晶片,其中该封装层具有一接触该发光二极体晶片之底部及一接触外界环境之顶部,该顶部具有一顶表面,该顶表面具有一微孔隙层,及该封装层包括一封装材料及至少一分布于该封装材料内之与该封装材料不相同折射率之材料,其中,该至少一与封装材料不相同折射率之材料系相应分布于该封装材料内以使得该封装层之底部至顶部之折射率呈现递减,并且,该至少一与封装材料不相同折射率之材料于该顶表面的微孔隙层分布的密度较于该顶表面下方的该顶部的分布的密度为高。如申请专利范围第1项所述之表面黏着型发光二极体封装装置,其中该封装层之底部具有之折射率接近该发光二极体晶片最上层之材料之折射率。如申请专利范围第1项所述之表面黏着型发光二极体封装装置,其中该封装层之顶部具有之折射率接近该外界环境之折射率。如申请专利范围第1项所述之表面黏着型发光二极体封装装置,其中该与封装材料不相同折射率之材料系以由该底部至该顶部渐减的分布密度,分布于该封装材料中。如申请专利范围第1项所述之表面黏着型发光二极体封装装置,其中该封装层系包括复数个与该封装材料不相同折射率之材料分布于该封装材料内,及该等与封装材料不相同折射率之材料彼此之折射率不相同。一种表面黏着型发光二极体(light emitting diode,LED)封装装置,包括:一导线架;至少一发光二极体晶片,设于该导线架上;及一透光之封装层,设于该导线架上并覆盖该发光二极体晶片,其中该封装层具有一接触该发光二极体晶片之底部及一接触外界环境之顶部,该顶部具有一顶表面,该顶表面具有一微孔隙层,及该封装层包括复数个封装材料层及至少一分布于该等封装材料层中之与该等封装材料层不相同折射率之材料,该至少一与该等封装材料层不相同折射率之材料系相应分布于该等封装材料层中,使得该透光之封装层之底部至顶部之折射率呈现递减,及分布于该顶表面的微孔隙层的密度系大于分布于该顶表面下方的该顶部的密度。如申请专利范围第6项所述之表面黏着型发光二极体封装装置,其中该至少一与该等封装材料层不相同折射率之材料系以由该封装层之该底部至该顶部渐减的分布密度,分布于该等封装材料层中。如申请专利范围第6项所述之表面黏着型发光二极体封装装置,其中该封装层包括复数个与封装材料不相同折射率之材料分布于该等封装材料层内,及该等与封装材料层不相同折射率之材料彼此之折射率不相同。
地址 新竹市科学园区工业东三路3号