难燃性物质分解燃烧器

主权项

一种难燃性物质分解燃烧器，至少包括燃烧筒体、多个燃烧器和多个制程排气导入孔，且各燃烧器和各制程排气导入孔都被安装在燃烧筒体的周侧壁上，其中，燃烧筒体是一端封闭，燃烧器是用于在燃烧筒体内形成火焰，制程排气导入孔是将含有难燃性物质的制程排气导入到燃烧筒体内；其特征在于：前述多个燃烧器是以各个喷出火焰可在燃烧筒体的中心轴线上的大致相同点上进行收束之形态，而使轴线向下流侧倾斜地被安装在燃烧筒体的周侧壁上；前述多个制程排气导入孔是以其轴线的延长线在前述喷出火焰的收束区的上流侧，于燃烧筒体的中心轴线上的大致相同的点上相交之形态，而使轴线向下流侧倾斜地被安装在燃烧筒体的周侧壁上。如申请专利范围第1项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，制程排气导入孔具有其断面积随着向燃烧筒体内的出口部靠近而逐渐扩大的部分。如申请专利范围第1项或第2项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，各燃烧器及各制程排气导入孔的轴线的倾斜角度，对燃烧筒体的中心轴线在15度~60度的范围内。如申请专利范围第1项或第2项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，还设置沿着燃烧筒体的内壁面进行转动的刮刀。如申请专利范围第3项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，还设置沿着燃烧筒体的内壁面进行转动的刮刀。如申请专利范围第4项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，燃烧筒体具有像沿着内壁那样由耐热性金属所构成的内筒，且刮刀沿着前述内筒的内壁面进行转动。如申请专利范围第5项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，燃烧筒体具有像沿着内壁那样由耐热性金属所构成的内筒，且刮刀沿着前述内筒的内壁面进行转动。如申请专利范围第1项或第2项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，应进行处理的制程排气为从半导体制造工程、液晶制造工程、太阳电池制造工程或废弃变压器内的气体处理工程所排出的，含有SiH4、Si2H6、TEOS或SiF4这样的因燃烧分解而生成粉体的矽烷系物质的制程排气，及含有CF4、SF6、NF3这样的卤化碳系难燃性物质的制程排气。如申请专利范围第3项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，应进行处理的制程排气为从半导体制造工程、液晶制造工程、太阳电池制造工程或废弃变压器内的气体处理工程所排出的，含有SiH4、Si2H6、TEOS或SiF4这样的因燃烧分解而生成粉体的矽烷系物质的制程排气，及含有CF4、SF6、NF3这样的卤化碳系难燃性物质的制程排气。如申请专利范围第4项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，应进行处理的制程排气为从半导体制造工程、液晶制造工程、太阳电池制造工程或废弃变压器内的气体处理工程所排出的，含有SiH4、Si2H6、TEOS或SiF4这样的因燃烧分解而生成粉体的矽烷系物质的制程排气，及含有CF4、SF6、NF3这样的卤化碳系难燃性物质的制程排气。如申请专利范围第5项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，应进行处理的制程排气为从半导体制造工程、液晶制造工程、太阳电池制造工程或废弃变压器内的气体处理工程所排出的，含有SiH4、Si2H6、TEOS或SiF4这样的因燃烧分解而生成粉体的矽烷系物质的制程排气，及含有CF4、SF6、NF3这样的卤化碳系难燃性物质的制程排气。如申请专利范围第6项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，应进行处理的制程排气为从半导体制造工程、液晶制造工程、太阳电池制造工程或废弃变压器内的气体处理工程所排出的，含有SiH4、Si2H6、TEOS或SiF4这样的因燃烧分解而生成粉体的矽烷系物质的制程排气，及含有CF4、SF6、NF3这样的卤化碳系难燃性物质的制程排气。如申请专利范围第7项所述的难燃性物质分解燃烧器，其中，应进行处理的制程排气为从半导体制造工程、液晶制造工程、太阳电池制造工程或废弃变压器内的气体处理工程所排出的，含有SiH4、Si2H6、TEOS或SiF4这样的因燃烧分解而生成粉体的矽烷系物质的制程排气，及含有CF4、SF6、NF3这样的卤化碳系难燃性物质的制程排气。