| 主权项 |
一种基板处理装置，具有：用来处理基板之处理室；使前述基板旋转的基板旋转机构；以及对前述基板供给气体之气体供给部，使至少2种气体A、B交替地进行复数次供给以于前述基板上形成所要的膜；该基板处理装置，具备控制部，用以控制基板的旋转周期或气体供给周期，将前述至少2种气体A、B之交替供给，执行超过前述气体供给周期与前述基板的旋转周期同步之循环次数，俾让从使气体A流动截至下次使气体A流动为止之时间所规定的气体供给周期可与基板之旋转周期，至少在气体的交替供给被执行10个循环的期间呈不同步。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中前述控制部用来控制前述基板的旋转周期，使前述气体供给周期与前述基板之旋转周期，至少在气体的交替供给被执行10个循环的期间为不同步。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中前述控制部用来控制前述基板的旋转周期或前述气体供给周期，使前述气体供给周期及前述基板之旋转周期，至少在气体的交替供给被执行60个循环的期间为不同步。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中前述气体供给部，系将前述气体从前述基板的周边方向朝向基板中心方向进行供给，而将前述气体供给到前述基板上。一种基板处理装置，具有：用来处理基板之处理室；使前述基板旋转的基板旋转机构；以及对前述基板供给气体之气体供给部，使至少2种气体A、B交替地进行复数次供给，而在前述基板上形成所要的膜；该基板处理装置，具备控制部，用以控制基板的旋转周期或气体供给周期，将前述至少2种气体A、B之交替供给，执行超过将气体A供给至前述任意部位之后直到下次将气体A供给到该任意部位的期间之循环次数，俾使以从气体A被供给到前述基板之任意部位之后直到下次将气体A供给到该任意部位的期间，使气体A、B的交替供给数被执行10个循环。如申请专利范围第5项所记载之基板处理装置，其中前述控制部，用来控制基板的旋转周期或气体供给周期，从气体A被供给到前述基板之任意部位之后，到下次将气体A供给到该任意部位的期间，使气体A、B的交替供给数被执行至少10个循环。如申请专利范围第5项所记载之基板处理装置，其中前述控制部，用来控制基板的旋转周期或气体供给周期，从气体A被供给到前述基板之任意部位之后，到下次将气体A供给到该任意部位上之间，使气体A、B的交替供给数被执行60个循环。一种基板处理装置，具有：用来处理基板之处理室；使前述基板旋转的基板旋转机构；以及对前述基板供给气体之气体供给部，使至少2种气体A、B交替地进行复数次供给，而在前述基板上形成所要的膜；该基板处理装置，具备控制部，用以控制基板之旋转周期P或气体之供给周期T，俾让从使气体A流动截至下次使气体A流动为止之时间所规定的前述气体供给周期T，与前述基板之旋转周期P可满足下列公式(1)| mP-nT |>≠0(n、m系自然数)………(1)(>≠0系表示真正比0更大，| |系表示绝对值)且该控制部系至少于n≦10时，控制前述旋转周期P或前述气体供给周期T，将前述至少2种气体A、B之交替供给，执行超过| mP-nT |=0时之循环次数，以满足前述公式(1)。一种基板处理装置，其特征为：具备：用来处理基板之反应室；在前述反应室内用来保持前述基板且使之旋转的旋转机构；用来供给反应气体至前述反应室内之气体供给系统；以及用来控制前述旋转机构及前述气体供给系统之控制部，将反应气体之供给，执行超过前述反应气体之供给周期与前述基板的旋转周期会同步的循环次数，使得周期性地供给前述反应气体到前述反应室内时，前述反应气体之供给周期及前述基板的旋转周期，在前述反应气体之供给被执行至少10个循环的期间不会同步。一种半导体装置的制造方法，系具备使用基板处理装置以对基板进行处理之制程，而该基板处理装置具有用来处理基板之处理室、使前述基板旋转的基板旋转机构、以及对前述基板供给气体之气体供给部，使至少2种气体A、B交替地进行复数次供给，而在前述基板上形成所要的膜；控制部，用以控制基板的旋转周期或气体供给周期，将前述至少2种气体A、B之交替供给，执行超过前述气体供给周期与前述基板的旋转周期会同步的循环次数，俾让从使气体A流动截至下次使气体A流动为止之时间所规定的气体供给周期可与基板之旋转周期，至少在气体的交替供给被执行10个循环的期间呈不同步。一种半导体装置的制造方法，系具备使用基板处理装置以对前述基板进行处理之制程，该基板处理装置具有用来处理基板之处理室、使前述基板旋转的基板旋转机构、以及对前述基板供给气体之气体供给部，且使至少2种气体A、B交替地进行复数次供给，而在前述基板上形成所要的膜；控制部，用以控制基板的旋转周期或气体供给周期，将前述至少2种气体A、B之交替供给，执行超过将气体A供给至前述任意部位之后直到下次将气体A供给到该任意部位的期间之循环次数，俾使从气体A被供给到前述基板之任意部位之后直到下次将气体A供给到该任意部位的期间，气体A、B的交替供给会被执行至少10个循环。一种半导体装置的制造方法，系具备使用基板处理装置以对基板进行处理之制程，该基板处理装置具有用来处理基板之处理室、使前述基板旋转的基板旋转机构、以及对前述基板供给气体之气体供给部，使至少2种气体A、B交替地进行复数次供给，而在前述基板上形成所要的膜，控制部，用以控制旋转周期P或气体供给周期T，俾让从使气体A流动之后截至下次使气体A流动为止之时间所规定的气体供给周期T，及基板之旋转周期P可满足下列公式(1)，| mP-nT |>≠0(n、m系自然数)………(1)(>≠0系表示真正比0更大，| |系表示绝对值)且该控制部系至少于n≦10时，控制前述旋转周期P或前述气体供给周期T，将前述至少2种气体A、B之交替供给，执行超过| mP-nT |=0时之循环次数，以满足前述公式(1)。 |
