| 主权项 |
一种具有矽质载板之发光二极体结构，包含有：一矽质载板，该矽质载板之上表面具有一抛物面形状之一凹杯结构，并且该凹杯结构底部具有复数个孔洞贯穿该矽质载板；一反射层设置于该凹杯结构之上表面；一导电层，填满该凹杯结构底部之该等孔洞，并且突出于该反射层上，其中该导电层突出于该反射层上之部分系为一支撑底座；以及一发光二极体设置于该支撑底座之顶端，并且该发光二极体位于该凹杯结构之焦点。如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，另包含有一介电层，位于该导电层与该矽质载板之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该反射层为金属或光学薄膜，并且与该导电层电性绝缘。如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该反射层之表面具有一微漫射结构。如申请专利范围第4项所述之发光二极体结构，其中该微漫射结构之高低起伏相差约1微米。一种制作具有矽质载板之发光二极体结构之方法，包含有：提供一矽质载板；于该矽质载板之下表面制作出复数个孔洞；于该矽质载板之下表面形成一导电层，且该导电层填满该等孔洞以作为一支撑底座；于该矽质载板之上表面制作出具有一抛物面形状之一凹杯结构，并使该支撑底座由该凹杯结构之底部突出而外露；于该凹杯结构之上表面形成一反射层；以及将一发光二极体与该支撑底座接合，使该发光二极体位于该凹杯结构之焦点。如申请专利范围第6项所述之方法，另包含有形成该导电层之前，先于该等孔洞内形成一蚀刻停止层。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该蚀刻停止层为一氧化层、一氮化层或一氮氧化矽层。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该蚀刻停止层系利用常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、电浆化学气相沉积或高密度电浆化学气相沉积方式形成。如申请专利范围第7项所述之方法，其中形成该具有该抛物面形状之该凹杯结构之步骤包含有：利用一湿式蚀刻制程于该矽质载板之上表面制作一具有倾斜侧壁之凹杯结构；利用一乾式蚀刻制程将该凹杯结构蚀刻成该抛物面形状，并且曝露出该支撑底座上之该蚀刻停止层；以及蚀刻该蚀刻停止层至该支撑底座露出。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该湿式蚀刻制程使用氢氧化钾溶液、氢氧化四甲基铵或乙二胺邻苯二酚为蚀刻液。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该乾式蚀刻制程包含有一反应离子蚀刻制程或一交替蚀刻法之电浆离子蚀刻制程。如申请专利范围第6项所述之方法，另包含有在该凹杯结构形成之后，于该凹杯结构之表面制作出一微漫射结构。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该微漫射结构系利用一乾式蚀刻制程所形成。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该乾式蚀刻制程包含有一反应离子蚀刻制程或一交替蚀刻法之电浆离子蚀刻制程。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该导电层为金属。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该等孔洞系利用一蚀刻制程加以形成，且该蚀刻制程包含有一反应离子蚀刻制程、一交替蚀刻法之电浆离子蚀刻制程，或一使用氢氧化钾溶液、氢氧化四甲基铵或乙二胺邻苯二酚为蚀刻液之湿式蚀刻制程。 |
