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一种嵌埋电子元件之电路板结构，系包括：一承载板，系于一黏着层之两表面分别具有一第一及第二氧化金属层，且于该第一及第二氧化金属层上具有第一及第二金属层，又该承载板具有至少一贯穿之开口；至少一半导体晶片，系容置于该承载板之开口中；一黏着材料，系填充于该承载板之开口与该半导体晶片所形成之间隙中，以将该半导体晶片固定于该承载板之开口中；一高介电材料层，系形成于该第二金属层之外表面；以及至少一电极板，系形成于该高介电材料层外表面，以藉由该第二金属层、高介电材料层及电极板构成电容元件。如申请专利范围第1项之嵌埋电子元件之电路板结构，其中，该半导体晶片系具有一主动面及与该主动面相对之非主动面，于该主动面具有复数电极垫，且该主动面系与该第二金属层同侧。如申请专利范围第2项之嵌埋电子元件之电路板结构，复包括一线路增层结构，系形成于该半导体晶片之主动面、高介电材料层及电极板表面，且该线路增层结构中具有导电结构以电性连接至该半导体晶片之电极垫及该电容元件之电极板。如申请专利范围第3项之嵌埋电子元件之电路板结构，复包括于该第一金属层及半导体晶片之非主动面形成有另一线路增层结构，并形成有至少一贯穿该承载板之电镀导通孔，以电性连接该些线路增层结构。如申请专利范围第1项之嵌埋电子元件之电路板结构，其中，该半导体晶片系具有一主动面及与该主动面相对之非主动面，于该主动面具有复数电极垫，且该半导体晶片之主动面与该第一金属层同侧。如申请专利范围第5项之嵌埋电子元件之电路板结构，复包括一线路增层结构，系形成于该半导体晶片之非主动面、高介电材料层及电极板表面，且该线路增层结构中具有导电结构以电性连接至该电容元件之电极板。如申请专利范围第6项之嵌埋电子元件之电路板结构，复包括于该第一金属层及该半导体晶片之主动面形成另一线路增层结构，且该线路增层结构中具有导电结构以电性连接至该半导体晶片之电极垫，并形成有至少一贯穿该承载板之电镀导通孔，以电性连接该些线路增层结构。如申请专利范围第3或6项之嵌埋电子元件之电路板结构，其中，该些线路增层结构系包括有介电层、叠置于该介电层上之线路层，以及形成于该介电层中之导电结构。如申请专利范围第8项之嵌埋电子元件之电路板结构，其中，该些线路增层结构外表面具有复数电性连接垫。如申请专利范围第9项之嵌埋电子元件之电路板结构，复包括于该线路增层结构外表面覆盖有防焊层，且该防焊层中具有复数开孔以露出该线路增层结构外表面之电性连接垫。如申请专利范围第10项之嵌埋电子元件之电路板结构，复包括有导电元件，系设于该电性连接垫上。如申请专利范围第1项之嵌埋电子元件之电路板结构，其中，该第一及第二金属层系为铝板，而该第一及第二氧化金属层系为氧化铝。如申请专利范围第1项之嵌埋电子元件之电路板结构，其中，该黏着层之材料系为热固性树脂及胶体其中之一者。 |
