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一种陶瓷元件之制造方法，该陶瓷元件系介以形成于陶瓷层上之通孔而于前述陶瓷层之一端面侧与另一端面侧之间形成电气性连接者，该制造方法之特征为具备：于保持构件之表面形成成为前述陶瓷层的陶瓷原材料层之步骤；使前述保持构件及前述陶瓷原材料层作热收缩之步骤；于经热收缩之前述陶瓷原材料层上形成通孔的步骤。如申请专利范围第1项之陶瓷元件之制造方法，其具备于形成前述通孔之后将糊胶状之导电材料印刷于前述陶瓷原材料层的步骤，以及将印刷于前述陶瓷原材料层之导电材料以特定的乾燥温度进行乾燥之步骤；并于前述作热收缩之步骤中，以高于前述乾燥温度之温度使前述保持构件以及前述陶瓷原材料层作热收缩。一种陶瓷元件之制造方法，该陶瓷元件系介以形成于陶瓷层上之通孔而于前述陶瓷层之一端面侧与另一端面侧之间形成电气性连接者，制造该方法之特征为具备：使含有含铅化合物且成为前述陶瓷层之陶瓷原材料作热收缩之步骤，藉由对经热收缩之前述陶瓷原材料照射YAG雷射的第2次高谐波或第3次高谐波之雷射光，于前述陶瓷原材料上形成通孔之步骤。如申请专利范围第3项之陶瓷元件之制造方法，其中前述化合物为锆钛酸铅。如申请专利范围第3或4项之陶瓷元件之制造方法，其中使前述雷射光产生脉冲振荡。如申请专利范围第5项之陶瓷元件之制造方法，其中藉由Q切换(Q switching)使前述雷射光产生振荡。一种陶瓷元件之制造方法，该陶瓷元件系介以形成于陶瓷层上之通孔而于前述陶瓷层之一端面侧与另一端面侧之间形成电气性连接者，该制造方法之特征为具备：藉由于成为前述陶瓷层之陶瓷原材料上印刷导电材料，形成将前述陶瓷原材料上所形成之通孔的一端侧覆盖之导电图案的步骤；以及使印刷于前述陶瓷原材料上之前述导电材料以特定的乾燥温度进行乾燥的步骤；于形成前述导电图案之步骤与使前述导电材料乾燥之步骤之间，以低于前述乾燥温度之加热温度将印刷有前述导电材料的陶瓷原材料加热。如申请专利范围第7项之陶瓷元件之制造方法，其中前述加热温度为25℃~50℃范围内之温度。一种陶瓷元件之制造方法，该陶瓷元件系介以形成于陶瓷层上之通孔而于前述陶瓷层之一端面侧与另一端面侧之间形成电气性连接者，该制造方法之特征为具备：以第1标记为位置基准，于成为前述陶瓷层之陶瓷原材料上形成通孔的步骤；藉由于前述陶瓷原材料上印刷导电材料而形成第2标记与覆盖前述通孔之一端侧之导电图案的步骤；以及检测前述第1标记与前述第2标记之位置关系的步骤。一种陶瓷元件之制造系统，该陶瓷元件系介以形成于陶瓷层上之通孔而于前述陶瓷层之一端面侧与另一端面侧之间形成电气性连接者，该制造系统之特征为具备：通孔形成机构，其以第1标记为位置基准，于成为前述陶瓷层之陶瓷原材料上形成通孔；印刷机构，其藉由于前述陶瓷原材料上印刷导电材料而形成第2标记与覆盖前述通孔之一端侧的导电图案；以及检测机构，其检测前述第1标记与前述第2标记的位置关系。 |
