| 主权项 |
一种电流控制矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路，其特征在于，所述电路包括：第一差分电晶体，所述电晶体包括源极、栅极和漏极；第二差分电晶体，所述电晶体包括源极、栅极和漏极；电流源，其与第一差分电晶体的源极和第二差分电晶体的源极相耦合；第一输出阻抗，其包括第一输出电阻和与之串连的第一并联峰化电感，所述第一输出阻抗耦合在第一差分电晶体的漏极和电源电压之间；第二输出阻抗，其包括第二输出电阻和与之串连的第二并联峰化电感，所述第二输出阻抗耦合在第二差分电晶体的漏极和电源电压之间；差分终端阻抗，其耦合于第一差分电晶体的栅极和第二差分电晶体的栅极之间，其中，所述差分终端阻抗包括串连联接的第一电阻和第二电阻；第一输入阻抗，其耦合于所述矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第一差分输入和第一差分电晶体的栅极之间；以及第二输入阻抗，其耦合于所述矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第二差分输入和第二差分电晶体的栅极之间。如申请专利范围第1项所述的电路，其中，所述第一输入阻抗包括第一串连电感；所述第二输入阻抗包括第二串连电感。如申请专利范围第1项所述的电路，其中，所述第一输入阻抗包括第一组多个串连电感；所述第二输入阻抗包括第二组多个串连电感。如申请专利范围第1项所述的电路，其中，所述第一输入阻抗包括第一串连电感和第一分流电容；所述第二输入阻抗包括第二串连电感和第二分流电容。一种电流控制矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路，其特征在于，所述电路包括：第一差分输入；第二差分输入；宽带差分电晶体对，其包括第三差分输入和第四差分输入；输入阻抗匹配网路，其与矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第一差分输入、矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第二差分输入、宽带差分电晶体对的第三差分输入、宽带差分电晶体对的第四差分输入相耦合，其中所述输入阻抗匹配网路包括：差分终端阻抗，其耦合于宽带差分电晶体对的第三差分输入和宽带差分电晶体对的第四差分输入之间，其中，所述差分终端阻抗包括串连联接的第一电阻和第二电阻；第一输入阻抗，其耦合于矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第一差分输入和宽带差分电晶体对的第三差分输入之间；和第二输入阻抗，其耦合于矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第二差分输入和宽带差分电晶体对的第四差分输入之间。如申请专利范围第5项所述的电路，其中，所述宽带差分电晶体对包括：第一差分电晶体，所述电晶体包括源极、栅极和漏极；第二差分电晶体，所述电晶体包括源极、栅极和漏极；电流源，其与第一差分电晶体的源极和第二差分电晶体的源极相耦合；第一输出阻抗，其包括第一输出电阻和与之串连的第一并联峰化电感，所述第一输出阻抗耦合在第一差分电晶体的漏极和电源电压之间；第二输出阻抗，其包括第二输出电阻和与之串连的第二并联峰化电感，所述第二输出阻抗耦合在第二差分电晶体的漏极和电源电压之间；第一电容，其耦合于第一差分电晶体的漏极和第二差分电晶体的栅极之间；以及第二电容，其耦合于第二差分电晶体的漏极和第一差分电晶体的栅极之间；其中：宽带差分电晶体对的第三差分输入包括第一差分电晶体的栅极；且宽带差分电晶体对的第四差分输入包括第二差分电晶体的栅极。如申请专利范围第5项所述的电路；所述第一输入阻抗包括第一串连电感；所述第二输入阻抗包括第二串连电感。一种电流控制矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路，其特征在于，所述电路包括：第一差分电晶体，所述电晶体包括源极、栅极和漏极；第二差分电晶体，所述电晶体包括源极、栅极和漏极；电流源，其与第一差分电晶体的源极和第二差分电晶体的源极相耦合；第一输出阻抗，其包括第一输出电阻和与之串连的第一并联峰化电感，其中第一输出电阻耦合在第一差分电晶体的漏极和第一并联峰化电感之间，第一并联峰化电感耦合在第一输出电阻和电源电压之间；第二输出阻抗，其包括第二输出电阻和与之串连的第二并联峰化电感，其中第二输出电阻耦合在第二差分电晶体的漏极和第二并联峰化电感之间，第二并联峰化电感耦合在第二输出电阻和电源电压之间；第一电容，其耦合于第一差分电晶体的漏极和第二差分电晶体的栅极之间；第二电容，其耦合于第二差分电晶体的漏极和第一差分电晶体的栅极之间；至少一个电阻串连联接于第一差分电晶体的栅极和第二差分电晶体的栅极之间；第一串连电感，其耦合于矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第一差分输入和第一差分电晶体的栅极之间；以及第二串连电感，其耦合于矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路的第二差分输入和第二差分电晶体的栅极之间。如申请专利范围第8项所述的电路，其中，所述电流源爲电流源电晶体，且所述第一差分电晶体、第二差分电晶体和电流源电晶体包括N沟道金属氧化物半导体电晶体；或所述第一差分电晶体、第二差分电晶体和电流源电晶体包括P沟道金属氧化物半导体电晶体。 |
