| 主权项 |
一种铜箔的制造方法，包括：提供一阴极；提供一阳极；提供一电解液之中含有硫酸、硫酸铜及若丹明系化合物；以及提供一电流于该阴极及该阳极以进行一电解铜箔的制程。如申请专利范围第1项所述之铜箔的制造方法，其中该电解液更包括一有机二价硫化合物。如申请专利范围第1项所述之铜箔的制造方法，其中该电解液更包括一聚醚类化合物。如申请专利范围第1项所述之铜箔的制造方法，其中该电解液含氯离子浓度约30至100 ppm。如申请专利范围第1项所述之铜箔的制造方法，其中该电解铜箔制程之电流密度约60至70 Amp/dm2。如申请专利范围第1项所述之铜箔的制造方法，其中实施该电解铜箔制程约于温度50至70℃。如申请专利范围第2项所述之铜箔的制造方法，其中该有机二价硫化合物包括聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)。如申请专利范围3项所述之铜箔的制造方法，其中该聚醚类化合物包括聚乙二醇(PEG)或聚丙二醇(PPG)。如申请专利范围1项所述之铜箔的制造方法，其中该若丹明系化合物包括若丹明B或若丹明6G。一种电解铜箔的制造方法，包括：使用一含硫酸铜的硫酸溶液为电解液以进行一电解铜箔制程，该含硫酸铜的硫酸溶液之中包含有一有机二价硫化合物、一聚醚类化合物以及一若丹明系化合物。如申请专利范围第10项所述之电解铜箔的制造方法，其中该含硫酸铜的硫酸溶液含氯离子浓度约30至100 ppm。如申请专利范围第10项所述之电解铜箔的制造方法，其中该有机二价硫化合物包括聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)。如申请专利范围第10项所述之电解铜箔的制造方法，其中该聚醚类化合物包括聚乙二醇(PEG)或聚丙二醇(PPG)。如申请专利范围第10项所述之电解铜箔的制造方法，其中该若丹明系化合物包括若丹明B或若丹明6G。如申请专利范围第10项所述之电解铜箔的制造方法，其中该电解铜箔制程之电流密度约60至70 Amp/dm2。如申请专利范围第10项所述之电解铜箔的制造方法，其中实施该电解铜箔制程约于温度50至70℃。 |
