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一种氮化镓系化合物半导体发光元件，系于基板上具有n型半导体层、发光层及p型半导体层构成之氮化镓系化合物半导体之积层构造体之发光元件，其特征为设于p型半导体层上之正极系由透明材料层及设在该透明材料层上之反射性金属层构成之反射型正极，其中反射性金属层于透明材料层侧之表面、及透明材料层于反射性金属层侧之表面有凹凸。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中透明材料层含导电性材料。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中透明材料层含非导电性材料。如申请专利范围第2项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中透明材料层与p型半导体接触，作为正极接触层之功能。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中透明材料层与p型半导体之间具有正极接触层。如申请专利范围第2项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中透明材料层系由选自ITO、TiO2、ZnO、ZnS、Bi2O3、MgO、ZnAlO及SnO2之群中至少一种材料构成。如申请专利范围第6项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中透明材料层系由选自ITO、ZnO、MgO、ZnAlO及SnO2之群中至少一种材料构成。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中反射性金属层系由选自Ag、Al、Fe、Cr、Ti、Co、Ni、Pd、Os、Ru、Pt、Rh及Ir之群中至少一种金属，或含这些金属中至少一种之合金构成。如申请专利范围第8项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中反射性金属层系由选自Ag、Al、Fe、Pt、Rh及Ir之群中至少一种金属，或含这些金属中至少一种之合金构成。如申请专利范围第9项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中反射性金属层系由选自Ag或Al之至少一种金属，或含这些金属中至少一种之合金构成。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中凹凸形状为条纹状。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中凹凸形状为点状或格子状。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中凹凸形状为随意状(random)。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中凹凸系由曲面构成。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中凹凸系由对于基板面倾斜之平面构成。如申请专利范围第15项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中倾斜平面与基板面成5度至85度之角度。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中凹凸之高低差为0.01~10μm。如申请专利范围第1至17项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其系使用于灯。 |
