| 主权项 |
一发光元件，包含：一基板；一发光叠层形成于该基板之上，其中该发光叠层至少包含一活性层与一第一图案结构形成于该活性层之上；以及一光取出层形成于该发光叠层之上，其中该光取出层包含复数个从属层，该复数个从属层之折射率自靠近该基板往远离该基板之方向递减。如请求项1所述之发光元件，其中该基板之材料包含一种或一种以上之物质选自电绝缘材料、蓝宝石(Sapphire)、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、聚合物(Polymer)、环氧树脂(Epoxy)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化锌(ZnO)与氮化铝(AlN)所构成之群组。如请求项1所述之发光元件，其中该基板之材料包含一种或一种以上之物质选自铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、类钻碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、石墨(Graphite)、碳化矽(SiC)、碳纤维、复合材料、金属基复合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基复合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)、高分子基复合材料(Polymer Matrix Composite；PMC)、矽(Si)、磷化碘(IP)、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)、碳化矽(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO2)与铝酸锂(LiAlO2)所构成之群组。如请求项1所述之发光元件，其中该发光叠层更包含：一第一半导体层，位于该基板与该活性层之间；以及一第二半导体层，位于该活性层与该光取出层之间。如请求项1所述之发光元件，其中该发光叠层之材料包含一种以上之物质选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成之群组。如请求项1所述之发光元件，其中该第一图案结构包含复数个凸部，其中任二相邻之该第一图案结构之复数个凸部之几何中心点之间距介于约0.6微米与7微米之间。如请求项1所述之发光元件，其中该复数个从属层之折射率介于1与3之间。如请求项1所述之发光元件，其中该光取出层之材料包含一种或一种以上之物质选自聚醯亚胺(polyimide)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、介电材料、Su8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、矽胶(Silicone)、玻璃、氧化铝(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氮化矽(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)、其他有机黏结材料、氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、砷镓化铝(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)与磷化镓砷(GaAsP)所构成之群组。如请求项1所述之发光元件，其中该第一图案结构包含一图案选自周期结构、准周期结构与不规则结构所构成之群组。如请求项1所述之发光元件，其中该光取出层更包含一第二图案结构形成于该第一图案结构之上。如请求项10所述之发光元件，其中该第二图案结构包含一图案选自周期结构、准周期结构与不规则结构所构成之群组。如请求项10所述之发光元件，其中该第二图案结构包含复数个凸部与凹部，其中任二相邻之该第二图案结构之复数个凸部之几何中心点之间距介于约0.6微米与7微米之间。如请求项10所述之发光元件，其中该第一图案结构与该第二图案结构分别包含复数个凸部与凹部，该第二图案结构之复数个凸部位于该第一图案结构之复数个凹部之上且该第二图案结构之复数个凹部位于该第一图案结构之复数个凸部之上。如请求项10所述之发光元件，其中该第一图案结构与该第二图案结构分别包含复数个凸部与凹部，该第二图案结构之复数个凸部位于该第一图案结构之复数个凸部之上且该第二图案结构之复数个凹部位于该第一图案结构之复数个凹部之上。如请求项1所述之发光元件，其中该发光叠层包含一第一上表面与该光取出层靠近该基板之从属层包含一第二上表面，其中该第一上表面与该第二上表面之最短距离介于约0.6微米与7微米之间。 |
