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一种光阻图型的形成方法，系采用浸液曝光制程之光阻图型形成方法，而其特征为：含有基板上形成光阻膜，于前述光阻膜之上，使用形成保护膜用之材料以形成保护膜，于层合有前述光阻膜与前述保护膜之前述基板之至少前述保护膜上，直接配置既定厚度的浸液曝光用液体，介由前述浸液曝光用液体及前述保护膜而对前述光阻膜选择性照射光线，并需要时实施加热处理，使用硷显像液而将前述保护膜与前述光阻膜加以显像处理，以去除前述保护膜之同时，得到光阻图型，前述形成保护膜用材料，系(1)对曝光光线为透明，对水不具有实质上的相溶性，且具有可溶于硷显像液之特性，且(2)至少含有含氟聚合物及溶剂，前述含氟聚合物，包含同时含有(X-1)氟原子或氟化烷基及(X-2)醇性羟基或烷氧基之脂肪族环式基，而前述脂肪族环式基含有构成主链的构成单元(X)，前述溶剂，系与前述光阻膜不具有相溶性，而可溶解前述含氟聚合物之醇系溶剂。如申请专利范围第1项之光阻图型的形成方法，其中该浸液曝光制程，系于光刻术曝光光线到达光阻膜之路径的至少该光阻膜上，使介在有较空气之折射率为高且较该光阻膜之折射率为低的既定厚度的浸液曝光用液体之状态下对该光阻膜进行曝光，以提升光阻图型的解像度之构成者。如申请专利范围第1项之光阻图型的形成方法，其中，该曝光光线，系以157nm或193nm作为主波长之光。如申请专利范围第1项之光阻图型的形成方法，其中，该含氟聚合物，系将以下述一般式(100)表示之环状含氟醇作为构成单元之聚合物@sIMGTIF!d10032.TIF@eIMG!如申请专利范围第4项之光阻图型的形成方法，其中，以该环状含氟醇作为构成单元之聚合物系经溶解于醇系溶剂中而作成组成物。如申请专利范围第1项之光阻图型的形成方法，其中，前述形成保护膜用材料再含有碳化氟化合物。如申请专利范围第6项之光阻图型的形成方法，其中，该碳化氟化合物，系可以下述一般式(201)(CnF2n+1SO2)2NH………(201)(式中，n为1至5的整数)表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第6项之光阻图型的形成方法，其中，该碳化氟化合物，系可以下述一般式(202)CmF2m+1COOH………(202)(式中，m为10至15的整数)表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第6项之光阻图型的形成方法，其中，该碳化氟化合物，系可以下述一般式(203)@sIMGTIF!d10033.TIF@eIMG!(式中，o为2至3的整数)表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第6项之光阻图型的形成方法，其中，该碳化氟化合物，系可以下述一般式(204)@sIMGTIF!d10034.TIF@eIMG!(式中，p为2至3的整数，Rf为一部分或全部被氟原子所取代之烷基，亦可为被羟基、烷氧基、羧基、胺基所取代之烷基)表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第7项之光阻图型的形成方法，其中，该可以一般式(201)表示之碳化氟化合物，系可以下述化学式(205)(C4F9SO2)2NH………(205)表示之化合物、或者可以下述化学式(206)(C3F7SO2)2NH………(206)表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第8项之光阻图型的形成方法，其中，该可以一般式(202)表示之碳化氟化合物，系可以下述化学式(207)C10F21COOH………(207)表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第9项之光阻图型的形成方法，其中，该可以一般式(203)表示之碳化氟化合物，系可以下述化学式(208)@sIMGTIF!d10035.TIF@eIMG!表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第10项之光阻图型的形成方法，其中，该可以一般式(204)表示之碳化氟化合物，系可以下述化学式(209)@sIMGTIF!d10036.TIF@eIMG!表示之碳化氟化合物。如申请专利范围第1项之光阻图型的形成方法，其中，该浸液曝光用液体，系实质上由纯水或脱离子水所成水，或者含氟系溶剂。 |
