| 主权项 |
一种太阳能电池结构，系包含：一基板，其具有一第一表面及一与该第一表面相对之第二表面；一第一薄膜层，其系成型于该基板之该第一表面，且该第一薄膜层具有第一奈米线结构；以及一第二薄膜层，其系成型于该基板之该第二表面，且该第二薄膜层具有第二奈米线结构；其中，该第一奈米线结构与该第二奈米线结构上均具有一非晶质半导体结构。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池结构，其中该非晶质半导体结构系为一双层结构，其包括一非晶质半导体本质层与一非晶质半导体掺杂层。如申请专利范围第2项所述之太阳能电池结构，其中该基板系为单晶矽基板或多晶矽基板。如申请专利范围第2项所述之太阳能电池结构，其中该非晶质半导体本质层与该非晶质半导体掺杂层的厚度均介于20至200埃。如申请专利范围第2项所述之太阳能电池结构，更包括一成型于该非晶质半导体结构上之透明导电薄膜层。如申请专利范围第5项所述之太阳能电池结构，其中该透明导电薄膜层系为氧化铟锡材料。如申请专利范围第2项所述之太阳能电池结构，其中该非晶质半导体本质层系为非晶质矽之半导体本质层。如申请专利范围第2项所述之太阳能电池结构，其中该非晶质半导体掺杂层系为非晶质矽之半导体掺杂层。 |
