| 主权项 |
一种二次侧电源控制开关，装置于一开关电源供应(SMPS)控制电路中，该电路具有一输入电源端，经一整流器及一第一滤波电容产生一输入电压及启动电流源；一变压器，具有一次侧线圈及二次侧线圈；该一次侧线圈连接该输入电压；该二次侧线圈感应电压经一整流回授回路及一第二滤波电容产生一输出电压；一主开关连接于该变压器的一次侧线圈，以控制该一次侧线圈之导通与切断；一开关电源供应控制器控制该主开关，依据该整流回授回路之回授信号控制该主开关之开与关；其系包括：一第一金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)，连接于该主开关上并控制开关动作；一开关装置，设置于该开关电源供应控制电路之二次侧；一第一光耦合器，隔离该开关装置于二次侧；及一辅助电源，启动该第一光耦合器；该开关装置断开(open)时，该第一光耦合器不动作，使该第一金属氧化半导体场效电晶体导通，并将该主开关关闭，以降低消耗电源之功率至毫瓦级；该开关装置闭合(close)时，该光偶合器将该第一金属氧化半导体场效电晶体切断，而该输出电压大于该辅助电源，则输出电压取代该辅助电源电压继续关闭该第一金属氧化半导体场效电晶体。依据申请专利范围第1项所述之二次侧电源控制开关，其中该开关装置为一个实体开关。依据申请专利范围第2项所述之二次侧电源控制开关，其中该开关装置进一步连接一第二金属氧化半导体场效电晶体，并以一第二耦合器隔离；在该输入电源端未连接输入直交流电源而该开关装置仍闭合(close)时，该第二光耦合器不作动，使该第二金属氧化半导体场效电晶体断开。依据申请专利范围第1项所述之二次侧电源控制开关，其中该开关装置是一个以一低耗电之微控制器(MCU)或一控制线路所控制的电子式开关。 |
