| 主权项 |
一比较器，用于振荡器电路并具有一自我偏压之参考电压(self bias)，包含：一空乏型金氧半电晶体网路，形成定电流等效连接，其中该空乏型金氧半电晶体之一闸极与一源极相连接；以及一增强型金氧半电晶体网路，其中该增强型金氧半电晶体之一汲极与该空乏型金氧半电晶体串联，当该增强型金氧半电晶体之一闸极端之电压等于其该汲极之电压时，其该闸极端之电压为该参考电压，其该闸极端可接收一输入电压，当该输入电压低于该参考电压时，该比较器输出一高位准信号，当该输入电压高于该参考电压时，该比较器输出一低位准信号，其中，该空乏型金氧半电晶体之制程参数与该增强型金氧半电晶体之制程参数系设定使该参考电压具有独立于温度变化的特性。如申请专利范围第1项所述之比较器，其中该参考电压值不受外部电源变化之影响。如申请专利范围第1项所述之比较器，其中该空乏型金氧半电晶体网路包含至少一空乏型金氧半电晶体。如申请专利范围第1项所述之比较器，其中该增强型金氧半电晶体网路包含至少一增强型金氧半电晶体。如申请专利范围第1项所述之比较器，其中定电流源等效连接系指该空乏型金氧半电晶体之闸极与源极间彼此连接。如申请专利范围第1项所述之比较器，其中定电流源等效连接系指该空乏型金氧半电晶体之闸极与源极间彼此连接。如申请专利范围第1项所述之比较器，其中该参考电压之计算方式为：@sIMGTIF!d10014.TIF@eIMG!其中，i>Vgsn/i>为该参考电压，i>Kd/i>以及i>Kn/i>分别为该空乏型金氧半电晶体网路以及该增强型金氧半电晶体网路之半导体常数，i>Wd/i>以及i>Ld/i>分别为该空乏型金氧半电晶体网路之宽度以及长度，i>Wn/i>以及i>Ln/i>分别为该增强型金氧半电晶体网路之宽度以及长度，i>Vtd/i>以及i>Vtn/i>分别为该空乏型金氧半电晶体网路以及该增强型金氧半电晶体网路之临界电压。如申请专利范围第7项所述之比较器，其中该参考电压值可藉由该空乏型金氧半电晶体网路以及该增强型金氧半电晶体网路之制程参数进行调整。一振荡器电路，包含：一电流源，提供该振荡器电路所需之一充电电流；一电容网路，与该电流源连接于一参考节点，利用该电流进行充/放电；一开关，与该电容网路连接于该参考节点，控制该振荡器中充/放电模式之切换；一比较器，与该开关连接于该参考节点，具有独立于电压源变化之一参考电压，该比较器包含：一空乏型金氧半电晶体网路，形成定电流等效连接，其中该空乏型金氧半电晶体之一闸极与一源极相连接；以及一增强型金氧半电晶体网路，其中该增强型金氧半电晶体之一汲极与该空乏型金氧半电晶体串联，当该增强型金氧半电晶体之一闸极之电压等于其该汲极之电压时，其该闸极端之电压为该参考电压，其该闸极端可接收该电容网路之电压，当该电容网路之电压低于该参考电压时，该比较器输出一高位准输出信号，当该电容网路之电压高于该参考电压时，该比较器输出一低位准输出信号，其中，该空乏型金氧半电晶体之制程参数与该增强型金氧半电晶体之制程参数系设定使该参考电压具有独立于温度变化的特性；以及一反相网路，分别与该开关以及该比较器连接，接收该输出信号并输出一反相信号以控制该开关。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该电流源输出独立于电压源变化之一电流以对该电容进行充电。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该输出信号至少具有两类输出位阶。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该充电电流具有独立于电压源变化的特性。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该电流源包含一空乏型金氧半电晶体网路以及两增强型金氧半电晶体网路。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该空乏型金氧半电晶体网路包含至少一空乏型金氧半电晶体。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该增强型金氧半电晶体网路包含至少一增强型金氧半电晶体。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该反相网路具有足够出反应该输出信号变化之一延迟时间特性。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该反相网路包含奇数反相器。如申请专利范围第9项所述之振荡器电路，其中该参考电压之计算方式为：@sIMGTIF!d10015.TIF@eIMG!其中，i>Vgsn/i>为该参考电压，i>Kd/i>以及i>Kn/i>分别为该空乏型金氧半电晶体网路以及该增强型金氧半电晶体网路之半导体常数，i>Wd/i>以及i>Ld/i>分别为该空乏型金氧半电晶体网路之宽度以及长度，i>Wn/i>以及i>Ln/i>分别为该增强型金氧半电晶体网路之宽度以及长度，i>Vtd/i>以及i>Vtn/i>分别为该空乏型金氧半电晶体网路以及该增强型金氧半电晶体网路之临界电压。如申请专利范围第18项所述之振荡器电路，其中该参考电压值可藉由该空乏型金氧半电晶体网路以及该增强型金氧半电晶体网路之制程参数进行调整。 |
