| 主权项 |
一种在运转时会从正面(9)发出电磁辐射的半导体本体，这种半导体本体具有：--一个以氮化物化合物半导体材料为主要成分的活性半导体镀层系统(4)，这个活性半导体镀层系统能够产生电磁辐射；--一个以氮化物化合物半导体材料为主要成分的磊晶生长的输出耦合层(8)，这个输出耦合层(8)具有磊晶生长形成的孔洞(81)并被半导体本体的正面(9)围绕住。如申请专利范围第1项的半导体本体，其中磊晶生长形成的孔洞(81)的形状为倒锥体形或倒截锥体形。如申请专利范围第1或2项的半导体本体，其中磊晶生长形成的孔洞(81)的平均直径大约是在半导体本体发出的辐射的波长范围。如申请专利范围第1或2项的半导体本体，其中磊晶生长形成的孔洞(81)的平均距离大约是在半导体本体发出的辐射的波长范围。如申请专利范围第1或2项的半导体本体，其中具有一个为活性半导体镀层系统(4)提供机械支撑基板(1)，这个基板(1)可以是一个SiC基板、蓝宝石基板、氮化镓基板、矽基板、或是尖晶石基板。如申请专利范围第1或2项的半导体本体，其中磊晶生长输出耦合层(8)的主要成分为GaN，而且其位置与一个以AlGaN为主要成分的镀层相邻。如申请专利范围第1或2项的半导体本体，其中磊晶生长输出耦合层(8)是一个p型掺杂的GaN镀层，而且其位置与一个p型掺杂的AlGaN镀层相邻。如申请专利范围第1或2项的半导体本体，其中磊晶生长输出耦合层(8)同时也作为一个p型接触层(6)。如申请专利范围第1或2项的半导体本体，其中另外还具有一个p型接触层(6)。一种制造在运转时会从正面(9)发出电磁辐射的半导体本体的方法，这种方法具有以下的步骤：--在生长基板(1)上磊晶生长出一个以氮化物化合物半导体材料为主要成分的活性半导体镀层系统(4)，这个活性半导体镀层系统能够产生电磁辐射；--磊晶生长出一个以氮化物化合物半导体材料为主要成分且在内部有形成孔洞(81)的输出耦合层(8)。如申请专利范围第10项的方法，其中在磊晶生长具有孔洞(81)的输出耦合层(8)的过程中使用的温度低于或等于790℃。如申请专利范围第10或11项的方法，其中所形成的孔洞(81)为倒锥体形或倒截锥体形。如申请专利范围第10或11项的方法，其中孔洞(81)的平均直径大约是在半导体本体发出的辐射的波长范围。如申请专利范围第10或11项中任一项的方法，其中孔洞(81)的平均距离大约是在半导体本体发出的辐射的波长范围。如申请专利范围第10或11项的方法，其中以一个SiC基板或蓝宝石基板作为生长基板(1)。如申请专利范围第10或11项的方法，其中在一个AlGaN镀层上磊晶生长的输出耦合层(8)的主要成分为氮化镓(GaN)。如申请专利范围第10或11项的方法，其中磊晶生长的输出耦合层(8)是一个在AlGaN镀层上磊晶生长的p型掺杂的GaN镀层。 |
