发明名称 FUENTE DE LUZ EXTENDIDA Y MODULABLE ELECTRICAMENTE Y DISPOSITIVO DE MEDICION PARA CARACTERIZAR UN SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UNA FUENTE DE DICHAS CARACTERISTICAS.
摘要 Fuente de luz destinada a inyectar unos portadores en exceso en una oblea semiconductora iluminando una superficie de dicha oblea semiconductora (4), asociándose dicha fuente a un dispositivo de medición para caracterizar dicha oblea semiconductora, caracterizada porque dicha fuente (1) comprende por lo menos un conjunto de fuentes puntuales (2) separadas a intervalos regulares en la dirección X y en la dirección Y, de modo que dicha fuente emita un haz monocromático cuyas dimensiones sean por lo menos iguales a las de la superficie a iluminar de dicha oblea semiconductora, modulándose cada una de dichas fuentes puntuales (2) de una forma sinusoidal mediante un modulador electrónico común (3), eligiéndose la distancia (d) entre dos fuentes puntuales y la distancia (D) entre dicha fuente y la superficie a iluminar de dicha oblea semiconductora de modo que dicho haz de luz monocromática ilumine de un modo uniforme dicha superficie a iluminar de dicha oblea semiconductora.
申请公布号 ES2348676(T3) 申请公布日期 2010.12.10
申请号 ES20070704273T 申请日期 2007.01.31
申请人 UNIVERSITE PAUL CEZANNE AIX-MARSEILLE III 发明人 PALAIS, OLIVIER;PASQUINELLI, MARCEL
分类号 G01R31/265;G01R31/28 主分类号 G01R31/265
代理机构 代理人
主权项
地址