| 摘要 |
<p>1. Способ выращивания монокристаллов карбида кремния, включающий параллельное размещение в ростовой камере, снабженной теплоизоляцией, одна напротив другой испаряющей поверхности источника карбида кремния и ростовой поверхности затравочного кристалла, а также создание в зоне роста поля рабочих температур с осевым градиентом в направлении от затравочного кристалла к источнику карбида кремния, обеспечивающих испарение источника карбида кремния и кристаллизацию карбида кремния из паровой фазы на ростовой поверхности затравочного кристалла за счет воздействия одновременно нагрева ростовой камеры нагревателем, и охлаждения затравочного кристалла через пирометрическое отверстие в теплоизоляции ростовой камеры, отличающийся тем, что перед снижением температуры монокристалла в пирометрическое отверстие устанавливают теплоизолирующую заглушку, а затем снижают температуру монокристалла со скоростью 30÷100°С в час уменьшением мощности нагревателя ростовой камеры.</p>
<p>2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в пирометрическое отверстие устанавливают теплоизолирующую заглушку с диаметром центрального отверстия не превышающим 2÷4 мм.</p> |
