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一种移除封装之填充物的方法，包括：提供具有一晶片之一封装，该晶片具有一主动表面，其中多数个凸块配置于该晶片的该主动表面上，且一填充物配置于该主动表面上且填入该些凸块之间；于一钝性气体环境中进行一乾式蚀刻制程以移除部份该填充物；以及进行一湿式蚀刻制程以移除其余部份该填充物。如申请专利范围第1项所述之移除填充物的方法，其中该乾式蚀刻制程包括一反应离子蚀刻制程。如申请专利范围第1项所述之移除填充物的方法，其中该钝性气体环境包括一氩气环境。如申请专利范围第1项所述之移除填充物的方法，其中该湿式蚀刻制程使用一发烟硝酸。如申请专利范围第1项所述之移除填充物的方法，其中该湿式蚀刻制程是在制程温度约为60~100℃进行约30秒~5分钟。如申请专利范围第1项所述之移除填充物的方法，更包括进行一清除制程以氮气清理该晶片。一种解封装的方法，包括：提供具有一晶片的一封装，其中该晶片有一主动表面与一背面，且该封装还包括：一散热块配置于该晶片之该背面上方；多数个凸块配置于该晶片之该主动表面上；一基板，其中该基板之一第一表面藉由该些凸块与该晶片连结；一填充物配置于该晶片与该基板之间且填入该些凸块之间；多数个焊球配置于该基板的一第二表面上；移除该散热块；移除该基板与该些焊球；进行一乾式蚀刻制程以移除部份该填充物；进行一湿式蚀刻制程以移除其余部份该填充物；进行一热制程以熔化该些凸块；以及进行一凸块移除制程使该些凸块由该晶片之该主动表面上分离。如申请专利范围第7项所述之解封装的方法，其中该乾式蚀刻制程包括一反应离子蚀刻制程。如申请专利范围第8项所述之解封装的方法，其中该反应离子蚀刻制程是于一钝性气体环境中进行。如申请专利范围第7项所述之解封装的方法，其中该湿式蚀刻制程使用一发烟硝酸。如申请专利范围第7项所述之解封装的方法，其中该湿式蚀刻制程是在制程温度约为60~100℃进行约30秒~5分钟。如申请专利范围第7项所述之解封装的方法还包括于该凸块移除制程之前，进行一清除制程以氮气清理该晶片。如申请专利范围第7项所述之解封装的方法，其中该凸块移除制程包括一物理剥除制程。如申请专利范围第13项所述之解封装的方法，其中该物理剥除制程是选自由扰动法、重力方法、吸力法、超音波震荡法以及上述方法之结合所组成之群组中。如申请专利范围第7项所述之解封装的方法，其中于一大气压下时，该热制程之制程温度约为100~320℃。如申请专利范围第7项所述之解封装的方法，其中该热制程是在一高温液态系统中进行。如申请专利范围第16项所述之解封装的方法，其中该高温液态系统使用一真空油。 |
