| 主权项 |
一电源供应电路，提供电源给一第一电路，包含：一第一开关，包含一第一端系电连接一电源以及一第二端系电连接该第一电路；一第二开关，包含一第二端以及一第三端与该第一开关之一第三端电连接于一第一节点；一第三开关，包含一第二端，系与该第一节点电连接；一第四开关，包含一第一端系电连接该电源，一第二端以及一第三端系电连接于该第三开关之一第一端，形成一第二节点；一电容，包含一端电连接该电源，另一端电连接于该第二节点；以及一电流源，电连接于该第二节点，其中利用该第三开关之导通与关闭，决定是否供应电源给该第一电路。如申请专利范围第1项所述之电源供应电路，其中该电容系利用一第五开关来实现，该第五开关包含一第二端与一第一端电连接该电源，以及一第三端电连接于该第二节点。如申请专利范围第1或2项所述之电源供应电路，其中该第一电路系为一接收器，该第一开关之该第二端系电连接该接收器之电源供应端。如申请专利范围第1或2项所述之电源供应电路，其中当于电源供应关闭(Power down)状态时，该第三开关关闭。如申请专利范围第1或2项所述之电源供应电路，其中当从电源供应关闭(Power down)状态快速恢复到正常电源供应(Power on)状态时，该第三开关开启。如申请专利范围第1或2项所述之电源供应电路，其中该第一开关系为一第一P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第6项所述之电源供应电路，其中该第一开关之该第一端系为一源极端，该第一开关之该第二端系为一汲极端以及该第一开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第1或2项所述之电源供应电路，其中该第二开关系为一第二P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第8项所述之电源供应电路，其中该第二开关之该第一端系为一源极端，该第二开关之该第二端系为一汲极端以及该第二开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第1或2项所述之电源供应电路，其中该第三开关系为一第三P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第10项所述之电源供应电路，其中该第三开关之该第一端系为一源极端以及该第三开关之该第二端系为一汲极端，以及该第三开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第1或2项所述之电源供应电路，其中该第四开关系为一第四P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第12项所述之电源供应电路，其中该第四开关之该第一端系为一源极端，该第四开关之该第二端系为一汲极端以及该第四开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第2项所述之电源供应电路，其中该第五开关系为一第五P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第14项所述之电源供应电路，其中该第五开关之该第一端系为一源极端，该第五开关之该第二端系为一汲极端以及该第五开关之该第三端系为一闸极端。一种应用于一小幅度摆动差动信号接收器之电源供应电路，包含：一第一开关，包含一第一端系电连接一电源以及一第二端系电连接一第一电路；一第二开关，包含一第二端以及一第三端与该第一开关之一第三端电连接于一第一节点；一第三开关，包含一第二端，系与该第一节点电连接；一第四开关，包含一第一端系电连接该电源，一第二端以及一第三端系电连接于该第三开关之一第一端，形成一第二节点；一电容，包含一端电连接该电源，另一端电连接于该第二节点；以及一电流源，电连接于该第二节点，其中利用该第三开关之导通与关闭，决定是否供应电源给该第一电路。如申请专利范围第16项所述之电源供应电路，其中该电容系利用一第五开关来实现，该第五开关包含一第二端与一第一端电连接该电源，一第三端电连接于该第二节点。如申请专利范围第16或17项所述之电源供应电路，其中该第一电路系为一接收器，该第一开关之该第二端系电连接该接收器之电源供应端。如申请专利范围第16或17项所述之电源供应电路，其中当于电源供应关闭(Power down)状态时，该第三开关关闭。如申请专利范围第16或17项所述之电源供应电路，其中当从电源供应关闭(Power down)状态快速恢复到正常电源供应(Power on)状态时，该第三开关开启。如申请专利范围第16或17项所述之电源供应电路，其中该第一开关系为一第一P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第21项所述之电源供应电路，其中该第一开关之该第一端系为一源极端，该第一开关之该第二端系为一汲极端以及该第一开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第16或17项所述之电源供应电路，其中该第二开关系为一第二P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第23项所述之电源供应电路，其中该第二开关之该第一端系为一源极端，该第二开关之该第二端系为一汲极端以及该第二开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第16或17项所述之电源供应电路，其中该第三开关系为一第三P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第25项所述之电源供应电路，其中该第三开关之该第一端系为一源极端以及该第三开关之该第二端系为一汲极端，以及该第三开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第16或17项所述之电源供应电路，其中该第四开关系为一第四P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第27项所述之电源供应电路，其中该第四开关之该第一端系为一源极端，该第四开关之该第二端系为一汲极端以及该第四开关之该第三端系为一闸极端。如申请专利范围第17项所述之电源供应电路，其中该第五开关系为一第五P型金属氧化半导体电晶体。如申请专利范围第29项所述之电源供应电路，其中该第五开关之该第一端系为一源极端，该第五开关之该第二端系为一汲极端以及该第五开关之该第三端系为一闸极端。 |
