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一种电晶体装置，包含：一p型实质透明铜铁矿材料的通道；一与该通道交接之源极触点；一与该通道交接之汲极触点；一闸极触点；及设于该闸极触点和该通道之间之闸介电层。如申请专利范围第1项之装置，其中该闸极触点系设在一基材上方，而该闸介电层设在闸极触点上方，且该通道系设在闸介电层上方。如申请专利范围第2项之装置，其中该等闸极、源极和汲极触点会被图案化来形成一电路互接图案。如申请专利范围第3项之装置，更包含一n型透明通道电晶体，其连接通过该电路互接图案来形成一CMOS电路。如申请专利范围第1项之装置，其中该铜铁矿材料系选自下列组群：CuScO2，CuAlO2，CuYO2，CuFeO2，CuCrO2，CuGaO2，CuInO2，AgCoO2，AgGaO2，AgInO2，AgScO2，及AgCrO2。如申请专利范围第5项之装置，其中该等源极、汲极、闸极触点包含一经掺杂的半导体，其系选自下列组群：GaN，BaCu2S2，NiO，Cu2O，CuScO2，CuAlO2，CuYO2，CuFeO2，CuCrO2，CuGaO2，CuInO2，AgCoO2，AgGaO2，AgInO2，AgScO2，AgCrO2。如申请专利范围第1项之装置，其中该等源极和汲极触点系设在一基材上方，该通道亦设在该基材上方，而该闸介电层系设在该等源极触点和汲极触点与该通道的上方。如申请专利范围第1项之装置，其中该等源极、汲极和闸极触点之每一个与该闸介电层皆由一透明材料所制成，而使该装置形成一透明装置。如申请专利范围第1项之装置，其中该p型实质透明铜铁矿材料包含未掺杂或微掺杂的铜铁矿材料。如申请专利范围第1项之装置，系被制成一薄膜装置。 |
