| 主权项 |
一种氧化物烧结体，系包含氧化铟以及相对于原料粉的总重量含量为5至15wt%的氧化锡，并且包含氧化矽2至8wt%者，其特征为：相对密度为102%以上。如申请专利范围第1项之氧化物烧结体，其中，该烧结体内的菲烈直径(Feret's Diameter)2μm以上之针孔数目系每单位面积为50个/mm2以下。如申请专利范围第1项之氧化物烧结体，其中，以显微镜观察该烧结体的任意剖面时之析出相的比例，就面积比而言为40%以上。如申请专利范围第2项之氧化物烧结体，其中，以显微镜观察该烧结体的任意剖面时之析出相的比例，就面积比而言为40%以上。一种氧化物烧结体之制造方法，系包含氧化铟以及相对于原料粉的总重量含量为5至15wt%的氧化锡，并且包含氧化矽2至8wt%之氧化物烧结体之制造方法，其特征为：使氧化矽原料粉的平均粒径形成为0.2μm至0.6μm，并与氧化矽以外的原料粉混合后，以烧制温度1400℃以上进行烧结。如申请专利范围第5项之氧化物烧结体之制造方法，其中，所获得之氧化物烧结体的相对密度为102%以上。一种溅镀靶材，其特征为：将申请专利范围第1项至第4项中任一项之氧化物烧结体接合于背板。如申请专利范围第7项之溅镀靶材，其中，于玻璃基板上以溅镀而形成膜厚为200nm之透明导电膜的表面平滑性之最大高低差Ry为6.0nm以下。一种透明导电膜，系采用申请专利范围第7项之溅镀靶材并藉由溅镀所形成者，其特征为：于玻璃基板上以溅镀而形成膜厚为200nm之透明导电膜的表面平滑性之最大高低差Ry为6.0nm以下。 |
