| 主权项 |
一种用于在一半导体基板上形成一蚀刻图案之方法，该方法包含以下步骤：在该基板上沈积一薄膜；在该薄膜上沈积一平整化材料层；在该平整化材料层上，在约100℃至225℃之温度下，藉由电浆增强化学气相沈积而沈积二氧化矽阻挡层材料层；在该阻挡层材料层上沈积至少一成像材料层；在该成像材料层、该阻挡层材料层及该平整化材料层内形成至少一第一图案形状；在该平整化材料内形成该第一图案形状同时或之后移除该成像材料；将该第一图案形状转移至该薄膜；在该第一图案形状转移至该薄膜同时或之后移除该阻挡层材料层；及移除该平整化材料。如请求项1之方法，其中在沈积该平整化材料层之前，至少一第二图案形状形成于该薄膜中，且藉由该平整化材料填补该第二图案形状。如请求项1之方法，其中该薄膜系一介电材料。如请求项3之方法，其中该薄膜系一低k介电材料。如请求项3之方法，其中该低k介电材料具有小于3.9之介电常数。如请求项3之方法，其中该低k介电材料具有小于约3.2之介电常数。 |
