| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其特征在于：包含(a)准备形成有复数图案之导线架之步骤，该图案包含晶粒垫部及设置于前述晶粒垫部周围之复数导线；(b)将复数之半导体晶片分别安装于形成于前述导线架之前述复数晶粒垫部上之步骤；(c)将前述半导体晶片及前述复数导线经由复数金属线分别电性连接之步骤；(d)前述(c)步骤之后，于上模具及下模具中夹住前述导线架，将树脂注入至形成于前述上模具与下模具之间且与前述复数图案分别对应之复数模穴内而将复数树脂密封体一并成型之步骤；(e)前述(d)步骤之后，以切断机切断前述导线架及前述树脂密封体，藉此将前述复数树脂密封体个片化之步骤；于前述(d)步骤所形成之前述复数之树脂密封体上，互相邻接之前述树脂密封体之各个之一部份系互相连接。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中前述导线架系包含：于前述复数导线之各线上形成之端子、及于与前述上模具接触部份以与前述端子相同之厚度所形成之接触部；于前述(e)步骤中，以前述切断机将前述端子及前述接触部之间切断。如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法，其中前述导线架系除了前述端子及前述接触部以外被施以半蚀刻(half etching)。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中于前述(d)步骤中，前述复数之树脂密封体上，将互相邻接之前述树脂密封体间夹住。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中于前述复数模穴之外侧上，前述上模具于一边侧设有复数之闸门部，而于与前述一边对向之另一边侧设有复数之辅助模穴(dummy cavity)及复数排气孔。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中前述切断机系具备2片切割刀，同时切断互相邻接之前述树脂密封体之各切断面如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中前述切断机系具备1片切割刀，前述切割刀之宽度等于互相邻接之前述树脂密封体之一方之切断面与另一方之切断面之间隔。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中前述导线架系包含：其一端部连接于前述晶粒垫部之复数悬吊导线、于前述复数悬吊导线之各线所形成之突起、及于与前述上模具接触部份以与前述突起相同之厚度所形成之接触部；于前述(e)步骤中，以前述切断机将前述突起及前述接触部之间切断。如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法，其中前述导线架系除了前述突起及前述接触部以外被施以半蚀刻。 |
