| 主权项 |
一种影像感测器，包括：一基底，其具有一前表面及一后表面；复数个感测元件，形成于该基底之该前表面上，该些感测元件系用以接受入射至该后表面的光；以及一铝掺杂区，形成于该基底中，且该铝掺杂区是由该后表面延伸进该基底，该铝掺杂区在水平方向位于相邻之感测元件之间，在垂直方向位于该后表面及该些感测元件之间。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该铝掺杂区之深/宽比约大于3。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该基底包括<100>或<111>之晶体矽。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该铝掺杂区之高度约大于1微米。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该铝掺杂区之铝掺杂浓度约介于1013atoms/cm3至1020atoms/cm3。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该些感测元件系选自互补式金氧半影像感测器、电荷耦合元件、主动感测器、被动感测器及其组合所组成之群组。一种影像感测器，包括：一感测元件，形成于一半导体基底中；一层间介电层，形成于该半导体基底中；一导电元件，位于该层间介电层中；以及一掺杂铝的接面，形成于该层间介电层中，且在水平方向位于该感测元件之周围。如申请专利范围第7项所述之影像感测器，其中该掺杂铝的接面之深度约大于1微米。如申请专利范围第7项所述之影像感测器，其中该掺杂铝的接面之深/宽比约大于3。如申请专利范围第7项所述之影像感测器，其中该掺杂铝的接面之铝掺杂浓度约介于1013atoms/cm3至1020atoms/cm3。一种半导体元件的形成方法，包括：提供一半导体基底；提供一罩幕层于该半导体基底上；形成一开口于该罩幕层中，该开口暴露该半导体基底；形成一含铝层于该罩幕层上以及该开口中之该半导体基底上；以及经由该罩幕层之该开口扩散该含铝层中之铝至该半导体基底，以在该感测元件之周围形成一掺杂铝的接面。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的形成方法，更包括在扩散该含铝层中之铝至该半导体基底之后，移除该含铝层。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的形成方法，其中扩散该含铝层中之铝至该半导体基底包括实施一退火制程。如申请专利范围第13项所述之半导体元件的形成方法，其中该退火制程之退火温度约介于400℃至1200℃。如申请专利范围第13项所述之半导体元件的形成方法，其中该退火制程系选自热退火、快速退火、雷射退火及其组合所组成之群组。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的形成方法，其中形成该罩幕层之步骤系选自热氧化法、热氮化法、旋转涂布法、化学气相沈积法、物理气相沈积法及其组合所组成之群组。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的形成方法，其中形成该含铝层之步骤系选自化学气相沈积法、物理气相沈积法、电镀法及其组合所组成之群组。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的形成方法，其中形成该开口包括实施一蚀刻步骤。 |
