| 主权项 |
一种微机电系统麦克风，包括封装外壳、容置于该封装外壳内之麦克风晶片及与该麦克风晶片电连接之外部电路，该封装外壳上设有一声波之入口，该麦克风晶片包括背板、隔离层及振动膜，该隔离层将该背板与振动膜隔开，并于其间形成空气间隙，其改良在于：该背板上形成声学孔，所述声学孔贯穿该背板上下并与空气间隙连通，该麦克风晶片设有振动膜或背板之一侧面向封装外壳之入口并与封装外壳紧密贴合，该封装外壳与该麦克风晶片之间形成一密闭之腔体作为麦克风晶片之声后腔。如专利申请范围第1项所述之微机电系统麦克风，其中该背板靠近隔离层之一侧设有辅助导电层。如专利申请范围第2项所述之微机电系统麦克风，其中该辅助导电层为浓硼扩散之重掺杂矽层或金属层。如专利申请范围第2项所述之微机电系统麦克风，其中该辅助导电层靠近振动膜之一面上形成至少一突触。如专利申请范围第1项所述之微机电系统麦克风，其中该背板靠近振动膜之一面上形成至少一突触。如专利申请范围第1项所述之微机电系统麦克风，其中该背板远离隔离层之一侧形成一钝化层。如专利申请范围第1至6项中任一项所述之微机电系统麦克风，其中该振动膜面向背板之一侧上形成至少一突触。一种微机电系统麦克风之制备方法，该微机电系统麦克风包括封装外壳、麦克风晶片及外部电路，该麦克风晶片包括背板、振动膜及位于背板与振动膜间之隔离层，该背板上设有复数声学孔，该制备方法包括：取一片第一矽基片及一片第二矽基片；在第一矽基片上制作振动膜；在第二矽基片上制作隔离层；刻蚀隔离层，该隔离层上被刻蚀之区域形成空气间隙；在第二矽基片上沿顶面向下刻蚀声学孔，所形成之声学孔未穿透第二矽基片；键合隔离层与振动膜；去掉有振动膜之第一矽基片，只留下振动膜，对保留之振动膜进行刻蚀；将第二矽基片背面之厚度减薄，直到完全露出声学孔，形成麦克风晶片；将该麦克风晶片与外部电路电连接，并密封于封装外壳内。如专利申请范围第8项所述之微机电系统麦克风之制备方法，还包括进一步在第二矽基片上形成辅助导电层。如专利申请范围第9项所述之微机电系统麦克风之制备方法，还包括进一步在辅助导电层上光刻形成突触。如专利申请范围第8项所述之微机电系统麦克风之制备方法，其中于第二矽基片减薄之背面上进一步形成一层钝化层。如专利申请范围第8项所述之微机电系统麦克风之制备方法，还包括进一步在振动膜上或者第二矽基片上光刻形成突触。一种微机电系统麦克风之制备方法，该微机电系统麦克风包括封装外壳、麦克风晶片及外部电路，该麦克风晶片包括背板、振动膜及位于背板与振动膜间之隔离层，该背板上设有复数声学孔，该制备方法包括：取一片矽基片；在该矽基片上制作隔离层及在隔离层上制作振动膜；刻蚀振动膜及隔离层；减薄矽基片之背面；在该矽基片上形成声学孔；通过声学孔刻蚀隔离层形成空气间隙，形成麦克风晶片；将该麦克风晶片与外部电路电连接，并密封于封装外壳内。如专利申请范围第13项所述之微机电系统麦克风之制备方法，还包括进一步于该矽基片上形成高掺杂之辅助导电层，所述隔离层及振动膜制作于辅助导电层上。如专利申请范围第14项所述之微机电系统麦克风之制备方法，还包括进一步在辅助导电层上光刻形成突触。如专利申请范围第13项所述之微机电系统麦克风之制备方法，还包括进一步于矽基片减薄之背面上形成一层钝化层。如专利申请范围第13至16项中任一项所述之微机电系统麦克风之制备方法，还包括进一步在振动膜或者矽基片上光刻形成突触。 |
