| 主权项 |
一种液晶显示装置，其包含有：一第一基板与一第二基板；复数条闸极线，以一第一方向排列于该第一基板上；复数条资料线，垂直地交叉于该等闸极线以定义复数个画素区域；一薄膜电晶体，与该画素区之该闸极线及该资料线连接，该薄膜电晶体具有由一该闸极线延伸之闸电极、一半导体层、一源电极与一汲电极；一钝化层，位于该薄膜电晶体上，该钝化层包括有一接触孔，该接触孔用以露出该汲电极之一部分；复数个画素电极，分别形成于该等画素区域中且透过接触孔电气连接于该汲电极；复数个连接图案，用以电气连接该等资料线至该源电极；以及一液晶层，形成于该第一基板与该第二基板之间；其中该半导体层系设置于该闸电极与该源/汲电极之间，该源电极、该汲电极与该接触孔系形成于该闸电极之区域内；其中该连接图案之一侧部接触于该资料线之侧部，且该连接图案之另一侧部接触于该源电极之侧部，该画素电极之一侧部接触于该汲电极之侧部，其中至少一半导体层以对应于该等资料线之方式形成。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中更包含有至少一闸极绝缘膜，形成于该闸电极与该半导体层之间。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该源电极形成为一U状。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该连接图案透过至少一接触孔电气连接该等资料线至该源电极。如申请专利范围第4项所述之液晶显示装置，其中该汲电极透过至少一汲接触孔电气连接于该画素电极。如申请专利范围第4项所述之液晶显示装置，其中至少一钝化层形成于包含有该等资料线与该源/汲电极之该第一基板的整个表面上。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该钝化层形成于该源电极与该汲电极间之隔离区域中。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该钝化层系由氧化矽制成。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该钝化层形成于包含有该等资料线、该连接图案与该源/汲电极之该第一基板的整个表面上。一种制造液晶显示装置的方法，其包含以下步骤：提供一第一基板与及一第二基板；形成以一第一方向排列于该第一基板上之复数条闸极线与复数个闸电极；形成至少一画素电极与至少一连接图案于该第一基板上；形成复数条资料线，垂直地交叉于该等闸极线以定义复数个画素区域于该第一基板上；形成至少一源电极于该第一基板上，且透过该连接图案接触该等资料线；形成至少一汲电极于该第一基板上，并接触该画素电极，且该源/汲电极以一预定间隙与该资料线相互分离；以及形成一液晶层于该第一基板与该第二基板之间；该源电极、该汲电极与接触孔系形成于该闸电极之区域内；其中该连接图案之一侧部接触于该资料线之侧部，且该连接图案之另一侧部接触于该源电极之侧部，该画素电极之一侧部接触于该汲电极之侧部，其中形成至少一半导体层以对应于该等资料线。如申请专利范围第10项所述之制造液晶显示装置的方法，其中更包含以下步骤：形成至少一半导体层于该闸电极与该源/汲电极之间；形成至少一闸极绝缘膜于该闸电极与该半导体层之间；以及形成至少一钝化层于裸露于该源电极与该汲电极隔离区域之该半导体层上。如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置的制造方法，其中该钝化层系由氧气电浆制程而形成。如申请专利范围第10项所述之制造液晶显示装置的方法，其中更包含以下步骤：形成至少一半导体层于该闸电极与该源/汲电极之间；形成至少一闸极绝缘膜于该闸电极与该半导体层之间；以及形成至少一钝化层于该源电极与该汲电极上。 |
