| 主权项 |
一种适用雷射熔接方式修补的修补结构，包括：至少一第一导线；一第一绝缘层，覆盖该第一导线；至少一第二导线，配置于该第一绝缘层上方；一第二绝缘层，覆盖该第二导线与该第一绝缘层；以及一修补连接层，配置于该第二绝缘层上，其中该修补连接层与该第一导线电性连接，且该修补连接层与该第二导线重叠但彼此不电性连接，其中该修补连接层与该第二导线之重叠区域为一修补熔接区。如申请专利范围第1项所述之适用雷射熔接方式修补的修补结构，其中该第二绝缘层的厚度介于1500埃至5000埃之间。如申请专利范围第1项所述之适用雷射熔接方式修补的修补结构，更包括至少一接触孔，该接触孔贯穿该第一绝缘层以及该第二绝缘层，而该修补连接层部份填入该接触孔以电性连接该第一导线。如申请专利范围第1项所述之适用雷射熔接方式修补的修补结构，更包括一半导体层，配置于该第一绝缘层与该第二导线之间。如申请专利范围第1项所述之适用雷射熔接方式修补的修补结构，其中该第二导线部份覆盖于该第一导线之上方。如申请专利范围第1项所述之适用雷射熔接方式修补的修补结构，其中该修补连接层之材质包括铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)、金属、合金或上述材质组合其中之一。一种主动元件阵列基板，包括：一基板，具有一显示区与一周边电路区；一画素阵列，配置于该基板上之该显示区内；以及一适用雷射熔接方式修补的修补结构，配置于该基板上之周边电路区内，该适用雷射熔接方式修补的修补结构与该画素阵列电性连接，且包括：至少一第一导线；一第一绝缘层，覆盖该第一导线；至少一第二导线，配置于该第一绝缘层上方，且与该画素阵列电性连接；一第二绝缘层，覆盖该第二导线与该第一绝缘层；以及一修补连接层，配置于该第二绝缘层上，其中该修补连接层与该第一导线电性连接，且该修补连接层与该第二导线重叠但彼此不电性连接，其中该修补连接层与该第二导线之重叠区域为一修补熔接区。如申请专利范围第7项所述之主动元件阵列基板，其中该第二绝缘层的厚度介于1500埃至5000埃之间。如申请专利范围第7项所述之主动元件阵列基板，该适用雷射熔接方式修补的修补结构更包括至少一接触孔，该接触孔贯穿该第一绝缘层以及该第二绝缘层，而该修补连接层部份填入该接触孔以电性连接该第一导线。如申请专利范围第7项所述之主动元件阵列基板，其中该画素阵列包括多条扫描线、多条资料线、多个主动元件以及多个画素电极，该适用雷射熔接方式修补的修补结构包括多条第二导线，且该些资料线其中之一分别与该修补结构之该些第二导线之一电性连接，每一主动元件与对应之扫描线以及资料线电性连接，每一画素电极与对应之主动元件电性连接。如申请专利范围第7项所述之主动元件阵列基板，该适用雷射熔接方式修补的修补结构更包括一半导体层，配置于该第一绝缘层与该第二导线之间。如申请专利范围第7项所述之主动元件阵列基板，其中该第二导线部份覆盖于该第一导线之上方。如申请专利范围第12项所述之主动元件阵列基板，其中该修补连接层之材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、金属、合金或上述材质组合其中之一。 |
